1.5场效应管及放大电路.ppt

概述 场效应管是利用电场效应来控制半导体中的载流子，使流过半导体内的电流大小随电场强弱的改变而变化的电压控制电流的放大器件。场效应管的外型与晶体管（三极管）相似，但它除了具有三极管的一切优点以外，还具有如下特点： 特点 基本上不需要信号源提供电流 输入阻抗很高（可达109~1015?） 受温度和辐射等外界因素影响小，制造工艺简单、便于集成化等； 只有多数载流子参与导电，所以又称其为单极性晶体管 场效应管的分类 按封装形式分：塑料封装和金属封装 按功率大小分：小功率、中功率和大功率 按频率特性分：低频管、中频管和高频管 按结构特点分：结型（JFET）和绝缘栅型（IGFET） 按导电沟道的不同还可分为：N沟道和P沟道，而绝缘栅型又可细分为N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型两种。 一. 内部结构及工作原理（了解） 1.自给偏压式 2.分压式偏置电路 电压放大倍数Au * * 1.5 场效应管及其放大电路 场效应管 结型 绝缘栅型 （MOS管） N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 D G S G D S G D S D G S D G S D G S D G S N沟道耗尽型结型 场效应管 -3V -2V -1V UGs=0V 1V UDs(V) ID (mA) ID (mA) UGs(V) UP IDSS 0 1 2 3 4 5 5 10 15 20 0 (a) 输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 二. 转移特性和输出特性 -3V -2V -1V UGs=0V 1V UDs(V) ID (mA) ID (mA) UGs(V) UP IDSS 0 1 2 3 4 5 5 10 15 20 0 输出特性可分为四个区： 1）可变电阻区：UGS愈大，其等效电阻RDS愈小。 2）恒流区：ID随UGS增大，处于放大时应工作在这个区域。 3）夹断区：UGS UP时，ID近似为零，管子夹断。 4）击穿区：UDS BUDS时，管子击穿，损坏。 可变电阻区 恒流区 夹断区 =UP 击穿区 三. 主要参数 1.夹断电压UP：当UDS为一定值时，使ID等于0时，对应的负偏压UGS值。 2.饱和漏极电流IDSS：当UDS?UP， 且UGS=0时，对应的ID值。 3.跨导gm： 4.最大漏源击穿电压BUDS、最大耗散功率PDM、最大漏源电流IDSM：都是保证管子不被损坏而规定的极限参数。 四. 场效应管放大电路的分析计算 特点: 1.该电路只适用于耗尽型场效应管电路。 2.静态时，ID不为零。 因为偏压是ID在RS上产生的，故称为自给偏压。 特点: 1.RG1和RG2构成的分压式电路给栅极G提供静态电位VG，故称为分压式偏置。 2.调整分压比，可使UGS0或使UGS0，使用灵活，适用于各种类型的场效应管。 静态分析 因为栅极电流为零，所以 动态分析 与三极管放大器一样，场效应管放大电路的动态分析也采用微变等效电路。 共源极放大器的动态分析 因为源极S是输入回路和输出回路的公共端，所以该电路称为共源极放大电路.画出该电路的微变等效电路。 输入电阻 输出电阻 *