BJT_大电流特性.ppt

2.8大电流效应和基区宽变效应 (Early效应) 双极晶体管的大电流效应包括大注入效应、有效基区扩展效应(Kirk效应)以及发射极电流集边效应。 ①大注入效应 1）什么是大注入：指PN结外加正向电压时，注入少数载流子密度等于或超过多子平衡态密度的工作状态。 2）大注入内建电场 考虑到大注入电场后，基区电子电流密度为 大注入电场对基区渡越时间的影响:(均匀基区晶体管) 3）大注入电导调制效应 大注入时发射结势垒两侧的载流子分布 4〕大注入工作时的电流增益 (均匀基区) 由于基区电导调制效应， 电阻率下降，发射效率降低，使电流增益下降，此现象称为Rittner效应。 大注入自建电场，在极大注入下，基区电子扩散系数由DnB变成2DnB，L2nB=Dτ变成2L2nB，基区输运系数增加，使电流增益增加。大注入基区内建电场减缓大电流增益的下降，通常称此效应为Webster(韦伯斯特)效应。 ②有效基区扩展效应(Kirk效应) 注入电流对集电结空间电荷区电场分布的影响： 对N+PN-N+四层结构，从发射结注入的电子，在通过集电结电荷区时，对耗尽区的正(n侧)负(p侧)空间电荷分别起着中和和添加作用。使n侧正空间电荷减小，p侧负空间电荷增加，电场分布发生变化。设通过集电结势垒区的电子密度为nc。 计入运动载流子对空间电荷区的影响时，n侧正空间电荷密度变为NC-nC，p侧负空间电荷密度变为NA+nC，空间电荷区的泊松方程变为 两种机制虽然原理各不相同，但对于任意给定的VBC，只要Jn增加到超过临界值，有效基区扩展效应都将发生。 ②有效基区扩展效应(横向Kirk效应) 基区横向扩展模型 ③发射极电流集边效应 大电流下，较大的平行于结平面的基极电流(多子电流)在狭长的基区电阻rb上将产生横向压降，使发射结的正向偏置电压从边缘到中心逐渐减小，发射极电流密度则从中心到边缘逐渐增大，由此产生发射极电流集边效应(也称基区电阻自偏压效应)P148图。 基区宽变效应 (Early效应) P95 Ear1y效应在以下五个方面影响器件特性 ①共发射极工作以及共基极工作时的低频输出电导不等于零。 ②基区渡越时间τB都受VCB调制，VCB增加使WB减小，因而基区渡越时间缩短。 ③影响共发射极低频反向转移导纳。 反向转移导纳等于输入电流增量与输出电压增量之比，即ΔIB/ΔVCB，电压增量ΔVCB，将相应地产生输入电流增量ΔIB。 ④使电流增益随VCB增加而上升。 首先，VCB上升时基区渡越时间缩短，因而基区输运系数β*增大。其次，固定VEB也就是向发射区注入的电流不变，VCB上升时IC随之上升，因而注入效率增大。所以hFE的上升是由于γ0、 β*两种因素都起了作用。 ⑤引起集电极扩散电容 CDC 。 基区过剩载流子电荷ΔQ’B随VCB增大而减少，依据这一电容效应所定义的参数为集电极扩散电容CDC=ΔQ’B/ΔVCB。 一些异常特性曲线分析： * * 大电流效应严格地说应该称为大电流密度效应。原因：小尺寸器件，总电流不一定很大，但电流密度很大，也会出现这些效应。 大电流效应研究BJT工作在正向有源区（放大区）时出现的大电流密度效应. NPN晶体管（a）小注入 （b）大注入 基区载流子分布 (a) (b) 小注入时，注入的电子密度远低于平衡态空穴密度，认为多子空穴平衡分布与平衡态近似相同。 大注入时，注入电子密度超过空穴平衡态密度，因电中性要求，空穴的密度梯度与电子的密度梯度相等。由于存在密度梯度，空穴将自发射结向集电结扩散，且因集电结势垒的阻挡作用在集电结边界处积累，而离化的受主中心固定不动，由此造成正负电荷分离，建立电场。这个电场就是大注入内建电场，其方向是从集电结指向发射结，对注入到基区的电子起加速作用。 当自建电场促使的空穴漂移电流与扩散电流大小相等时，达动态平衡。大注入内建电场的表达式： 准中性： 第一项表示在大注入下，由基区杂质分布梯度产生的有效电场，对均匀基区，这一项等于零。第二项表示少子(电子)注入基区后，为维持电中性，积累相应的空穴而产生的大注入自建电场，它随注入水准的提高而增强。极大注入时，均匀和缓变基区晶体管，基区自建电场都由注入的少子载流子分布梯度dnb(x)/dx决定。 由 对于均匀基区，dNB/dx=0，上式变为 若忽略基区复合，JnB(x)=JnB(0)=JnB=常数，对上式从0~WB进行积分，并利用在正向有源区，基区边界条件nb（WB）＝0， 大注入正向传输电流密度表达式 ?小注入nbNB， ?极大注入nbNB， 形式上少子扩散系数乘以2：基区电流中，基区自建电场所产生的少子漂移分量和分布梯度所