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pin结二极管的性能与应用 Xie M. X. (UESTC，成都市) pin结是在开发出pn结以后所发展出的一种改进型结构，即是在p型半导体与n型半导体之间，特意加上一层较厚的本征层（i型层）而构成的一种特殊形式的pn结。 1952年和1956年，Hall和Prince分别率先把pin结用作为低频二极管和大功率整流二极管。1958年Uhlir开始把pin结用作为微波二极管。 pin结的重要性及其应用价值主要有两个方面：一是pin结二极管是一种重要的微波两端器件，也是一种重要的高压两端器件；另一方面，可以说pin结是各种功率器件（包括大功率晶体管和晶闸管）工作的基础，也是分析各种功率器件物理性能的出发点。 （1）pin结二极管的基本结构 pin结二极管的基本结构有两种，即平面的结构和台面的结构，如图1所示。对于Si-pin结二极管，其中i型层的载流子浓度很低（约为1013cm(3数量级）、电阻率很高（约为k(-cm数量级），厚度W一般较厚（在10～200μm之间）；i型层两边的p型和n型半导体的掺杂浓度通常很高（即为重掺杂）。 平面结构和台面结构的i型层都可以采用外延技术来制作，高掺杂的p+层可以采用热扩散或者离子注入技术来获得。平面结构二极管可以方便地采用常规的平面工艺来制作。而台面结构二极管还需要进行台面制作（通过腐蚀或者挖槽来实现）。台面结构的优点是：①去掉了平面结的弯曲部