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CMOS集成电路设计中电阻设计方法的研究 [日期：2008-11-18 15:47:00] 作者：未知 来源： ????? 电阻在集成电路中有极其重要的作用他直接关系到芯片的性能与面积及其成本 ????? 讨论了集成电路设计中多晶硅条电阻、MOS管电阻和电容电阻等3种电阻器的实现方法，论述了他们各自的优点、缺点及其不同的作用；介绍了他们各自的计算方法并给出了MOS管电阻与电容电阻的实现方法并对实例进行了详细的分析，比较了不同电阻在面积上的不同能更好地了解不同电阻在不同情况下的使用对MOS管实现交流电阻中出现的体效应给出了解决方法　　 ????? 在集成电路的设计中，电阻器不是主要的器件，却是必不可少的如果设计不当，会对整个 电路有很大的影响，并且会使芯片的面积很大，从而增加成本　　 ????? 目前，在设计中使用的主要有3种电阻器：多晶硅、MOS管以及电容电阻在设计中，要根据需要灵活运用这3种电阻，使芯片的设计达到最优 ????? 1多晶硅电阻　　 ????? 集成电路中的单片电阻器距离理想电阻都比较远，在标准的MOS工艺中，最理想的无源电阻器是多晶硅条一个均匀的平板电阻可以表示为：　　????? 式中：ρ为电阻率；t为薄板厚度；R□=(ρ/t)为薄层电阻率，单位为Ω/□；L/W为长宽比由于常用的薄层电阻很小，通常多晶硅最大的电阻率为100 Ω/□，而设计规则又确定了多晶硅条宽度的最小值，因此高值的电阻需要很大的尺寸，由于芯片面积的限制，实际上是很难实现的当然也可以用扩散条来做薄层电阻，但是由于工艺的不稳定性，通常很容易受温度和电压的影响，很难精确控制其绝对数值寄生效果也十分明显　　 ?????? 无论多晶硅还是扩散层，他们的电阻的变化范围都很大，与注入材料中的杂质浓度有关不 容易计算准确值由于上述原因，在集成电路中经常使用有源电阻器 2MOS管电阻　　 ?????? MOS管为三端器件，适当连接这三个端，MOS管就变成两端的有源电阻这种电阻器主要原理 是利用晶体管在一定偏置下的等效电阻可以代替多晶硅或扩散电阻，以提供直流电压降，或在小范围内呈线性的小信号交流电阻在大多数的情况下，获得小信号电阻所需要的面积比直线性重要得多一个MOS器件就是一个模拟电阻，与等价的多晶硅或跨三电阻相比，其尺寸要小得多　　 ?????? 简单地把n沟道或p沟道增强性MOS管的栅极接到漏极上就得到了类似MOS晶体管的有源电阻对于n沟道器件，应该尽可能地把源极接到最负的电源电压上，这样可以消除衬底的影响同样p沟道器件源极应该接到最正的电源电压上此时，VGS=VDS，如图1（a)，(b)所示　　 ?????? 图1（a)的MOS晶体管偏置在线性区工作，图2所示为有源电阻跨导曲线ID-VG S的大信号特性这一曲线对n沟道、p沟道增强型器件都适用可以看出，电阻为非线性的但是在实际中，由于信号摆动的幅度很小，所以实际上这种电阻可以很好地工作根据公式 　　????? 其中：K′=μ0C0X可以看出，如果VDS(VGS-VT)，则ID与VDS之间关系为直线性（假定VGS与VDS无关，由此产生一个等效电阻R=KL/W，K=1/［μ0C0X（VGS-VT）］，μ0为载流子的表面迁移率，C0X为栅沟电容密度；K值通常在1 000～3 00 0Ω/□实验证明，在VDS0.5（VGS-V T）时，近似情况是十分良好的　　 ?????? 图1（c)，(d)虽然可以改进电阻率的线性，但是牺牲了面积增加了复杂度 ?用有源电阻得到大的直流电压需要大的电流，或者远小于1的W/L比值可以采用级连的方法克服这一问题即将每一级的G，D与上一级的S相连这样可以使W/L接近于1且使用较小的直流电流 ?????? 在设计中有时要用到交流电阻，这时其直流电流应为零图1所示的有源电阻不能满足此条 件，因为这时要求其阻值为无穷大显然这是不可能的这时可以利用MOS管的开关特性来实现，如图3（a）所示MOS开关的特性近似为直线，没有直流失调这时通过控制栅源之间的电压值就可以得到ΔV为1 V的线性交流电阻　　 ?????? 为了尽可能夸大线性区并抵消体效应，电阻往往以差动方式成对出现，如图3（b）所示的一 对差动结构的交流电阻注意，加到电阻器左边的是差动信号（V1）；右边则处于相同电位 ?????? 3电容电阻　　 ?????? 交流电阻还可以采用开关和电容器来实现经验表明，如果时钟频率足够高，开关和电容的组合就可以当作电阻来使用其阻值取决于时钟频率和电容值 ? 　　图4是一种电阻模拟方法，称为“并联开关电容结构”在特定的条件下，按照采样系统理论，可以近似为图4(b)所示的电阻其中V1和V2为两个独立的直流电压源，其按照足够高的速率采样，在周期内的变化可忽略不计通过计算可