1f噪声源与其在半导体可靠性评估中的应用.pdfVIP

。1，f噪声源与其在半导体可靠性评估中的鏖弱： 刘鹏飞一郭春生李秀字李志国 (北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室，北京100022 摘要：l／f噪声，由于其能够反映器件的质量与可靠性参数，其研究受到重视。本文首先较为系 统地介绍了l／f噪声源两种较为成熟的理论：迁移率涨落模型和载流子涨落模型，最后介绍了几 个l／f噪声与半导体器件参数漂移相关的实例。 关键词：I／f噪声；迁移率涨落模型；载流子涨落模型：器件参数漂移。 1．1，f噪声源 从广义上说，凡是功率谱密度与频率成反比的随机涨落现象均可称为1／f噪声。电子器件中 l，f噪声电压的功率谱密度可以写成以下形式：品驴)=∥芦／厂， 匀材料)·或Q．0(较为复杂的器件)。 I／f噪声具有两个基本特征： (1)1／f噪声在一个相当宽的频带内，其功率谱密度与f成反比，且其频带上，下限都应 是有限值，其上限频率视l／f噪声与白噪声的相对大小而定。而下限频率目前已经测到10qHz。 (2)I／f噪声电压或电流的功率谱密度近似与器件的电流的平方成正比，这意味着l／f噪声 起源于电阻的涨落。设流过电阻R的电流保持恒定，但电阻存在着涨落积，引起电阻两端电 压涨落∥，则有：∥=IdR 2．迁移率涨落模型 个著名的经验公式¨j： 曼幽：鲫：纽 (1) 式中；N为样品中的载流子总数；％是一个无量纲的近普 V2 R2 ．re 适常数，成为胡格系数，一般为2×lO一。胡格公式已经被许多实验证实121，服从此公式的材料 有银，铝等近二十余种，而半导体材料有硅，锗，砷化镓等。 对于不同的具体情况，胡格公式还可以有不同的表达形式。对于以少数载流子扩散电流为 现的是扩散系数的涨落，即鼍冶=0么，成为I／f噪声。这时(1)可表示为 矿D|，H 型：一s。rf)：盟． 对于迁移率涨落，若设单个载流子的迁移率为∥i，总迁移率为∥，则有 ∥=丙1善N麒 万=万 印=专姜跳 (门=嘉喜＆(力=万I％(门 s，(力 1乱(，) (2) ir。万1；『+… 若胡格l／f噪声是由迁移率涨落引起的，则有 羔盟；曼苎_ 代入(2)式，就有兰坐型：掣 l p 衄 一 ， ·北京工业大学研究生科技基金资助课题ykj·2005·153 ·244· 可见，对于迁移率涨落．胡格公式总是有效的，而且由迁移率涨落决定的口。；厂．＆(，必 H’ ，畦 仅于单个电子的性质有关，与器件的具体结构无关，应为一普适常数，故称为基本l／f噪声． 3．载流子涨落模型 1957年，迈克霍特提出了表面载流子数涨落模型，这种涨落是由表面氧化层的陷阱通过隧 道贯穿半导体导带或价带的载流子相互作用所引起的。 设半导体中的载流子陷阱具有单一时间常数乃，则占据该陷阱的载流子数目的涨落应服从洛仑 兹谱，其功率谱密度为 蹦少丽·击 (3) 若陷阱的时间常数不是唯一的， 而是有一个相当宽的范围分布，在这种情况下，其噪声功 率谱密度： 乱(力=瓣·r恶挚f 其中，g(f)为分布函数，应满足归一化条件【g(r)dr=I 且 f1≤f≤rz g(f)2{·i泛；}7i了 g(f)20其它 将上式代入(3)得到∽：鸟【口rc硬缈乇)一arctg(mq)】 nfln(X) 在不同的频率范围内，S^，(／)可以分别简化为以下形式： l 国一 砭 ‘矿) 蹦舻焉2AN：一t哆一寺 w卜端In( ‘圹)．， 一劫In(多i1…寺一磊k—r-)]多≯