如何预防IGBT模块损坏.docVIP

如何预防IGBT模块损坏 IGBT用于开关许多产品中的电源，这些产品包括变频驱动器(VFD)、伺服驱动器、电动汽车、巴士和卡车、火车、医疗设备（X光和MRI）、空调甚至一些专业音频系统等。这些产品都属于“大功率”应用，它们很容易被视为电气产品而非电子产品，因此人们会认为它们并不容易受损。然而，有很多不同的失效机制会导致IGBT损坏，除非在设计过程中格外用心，确保器件的正确操作。 与所有器件一样，运行环境（温度、热冲击、热和功率循环以及振动）可造成IGBT失效。ESD（静电放电）也是一个失效因素。由于IGBT和门极驱动器往往由机柜安装人员而非电子专业人员进行安装，所以毫不出奇非常多的失效是由人为操作不当引起。要防止IGBT出现此类失效，主要在于严格遵循安装指南，并确保器件在规定的操作条件下工作。 过流是另一个潜在的失效原因。针对此问题有集成的解决方案可供使用，但也有简单、低成本的解决方案，即在交流输出端使用电流传感器进行测量来实现，而大多数客户更愿意选择低成本的方案。 其他的主要失效机制有短路、di/dt过高、dv/dt过高以及门极-发射极和集电极-发射极过压。行业所需要的就是针对这些失效机制的保护功能，当功率水平达到100 kW且系统成本较为昂贵时尤为需要，因此Power Integrations等IGBT驱动器厂商已在其产品中集成了创新的可靠保护机制，能够解决这些问题，从而为IGBT模块提供强有力的保护。 短路 一种常用的检测短路从而在IGBT损坏之前将其关断的方法是，使用一个集成了退饱和保护功能的光耦IC。遗憾的是，这种方法有两个劣势。第一，具有退饱和保护功能的光耦IC还要求采用高压二极管，而这种二极管不仅成本昂贵，而且损耗也高。第二，也许更重要的是，所需的退饱和监控电子元件通常对EMI或Vce电压尖峰很敏感。这可以导致短路保护误动作，导致IGBT意外关断。 而Power Integrations的IGBT驱动器则采用了不同的方法。他们选用ASIC芯片组以减少元件数量并缩小尺寸，同时提高性能、效率和可扩展性。该芯片组还具备先进的监控和控制功能。为解决短路测量问题，使用SCALE?-2芯片组和电阻串来动态测量IGBT的VCE，请参见图2。这不仅意味着小的电压尖峰不会导致短路保护误触发，而且还拥有其他优势。电阻串方法比标准二极管测量方法的成本低，并且没有耦合电容，因此没有影响效率的多余电容，也不受dv/dt影响。更进一步的优势是，可以使用一个参考管脚轻松调整短路保护的灵敏度，从而适应特定的应用。 高级/动态高级有源钳位 SCALE?-2芯片组还用于实现复杂的有源钳位技术，以应对前面提到的其他IGBT失效模式——di/dt过高、dv/dt过高以及门极-发射极和集电极-发射极过压。 基本有源钳位（图3中的方框AC）在关断时可限制IGBT的VCE。IGBT会在其VCE超过预设的阈值时立即部分导通，然后维持在线性区内工作，因此可降低集电极电流的下降速率，进而限制集电极-发射极过压。在SCALE?-2技术中，高级有源钳位(AAC)反馈（图3中的方框AC和AAC）是由驱动器的副方ASIC实现的。只要电阻R2右侧的电位因有源钳位动作而升高，与GL相连的驱动器的推动级的关断MOSFET就会被逐步关断。这样会减少从IGBT门极流出并流入COM的电荷，该电荷流经关断门极电阻Rg,off。这不仅能减小IGBT关断时集电极-发射极过压，还可降低 TVS损耗，从而提高效率。 SCALE-2驱动器中还实现了dv/dt反馈功能（图3中的 dv/dt feedback）。其作用是，在正常开关工作中实现非常有效的关断过压限制，而不会造成TVS热过载。在集电极-发射极电压升高时，由产生的电流会流入与TVS并联的dv/dt反馈电容。该电流将进一步为高级有源钳位提供支持，因为它流入同一个驱动器端子，但会早于高级有源钳位的TVS动作。通过采用这种额外的驱动方法，VCE电压的钳位变得更有效，TVS损耗更低。如果设置正确，IGBT可以在此操作模式下连续工作。因此，可以在更大的直流母线杂散电感下开关IGBT模块，而不会超出IGBT的反向偏置安全工作区(RBSOA)。并且，不需要使用吸收电容。 Power Integrations已将钳位技术提升到了新的水平：动态高级有源钳位(DA2C)增加了额外的TVS二极管（图3中的方框DA2C），与高级有源钳位中使用的TVS串联。从IGBT导通开始，到IGBT发出关断指令后的大约15-20us内，辅助IGBT Q0都处于打开状态，将这个额外的TVS短接，以降低有源钳位的门槛值，确保获得高效的有源钳位（在IGBT关断过程中额外的TVS不工作）。在经过该15-20us的延迟时间后，辅助IGBT Q0