硅集成电路工艺氧化(oxidation).ppt

Chap.2 氧化（oxidation） SiO2在IC中的作用 杂质扩散的掩蔽膜 器件的保护和钝化膜 MOS电容的绝缘介质 MOSFET栅介质材料 IC的隔离及绝缘介质 SiO2的制备方法 热氧化法 化学气相淀积法 真空蒸发法 电化学阳极氧化法 溅射法 离子注入法 §2.1 SiO2的结构和性质 §2.2 SiO2的掩蔽作用 杂质在SiO2中的存在形式: 网络形成者 三价元素（B），网络强度下降 五价元素（P），增加网络强度 网络改变者（Na，K，Ba，Al，水汽） 网络强度减弱，结构变疏松 SiO2起掩蔽作用的条件 DSiO2DSi SiO2层具有一定的厚度 其他因素 §2.3 硅的热氧化生长动力学 硅的热氧化方法 干氧氧化 Si +O2 SiO2 水汽氧化 Si + 2H2O SiO2 ＋ 2H2 湿氧氧化 热氧化过程 氧化剂扩散穿过附面层到达气体－SiO2表面（F1） 氧化剂扩散穿过SiO2层到达SiO2-Si表面（F2） 氧化剂在Si表面反应生成SiO2（F3） 反应的副产物离开界面 迪尔－格罗夫模型 氧化剂在SiO2中扩散系数很大，或反应初始阶段： 反应控制，线性规律 氧化剂在SiO2中扩散系数很小，或氧化层较厚后： 扩散控制，抛物线型规律 §2.4 决定和影响氧化速率的各种因素 决定氧化速率的因素 氧化剂分压： 在一定条件下，与氧化剂分压成正比 氧化温度： 扩散控制：DSiO2=D0 exp(-Ea/kT) 成指数关系， Ea为扩散活化能 反应控制：ks=ks0 exp(-Ea/kT) 成指数关系， Ea为化学反应活化能 影响氧化速率的其他因素 硅表面晶向 扩散控制：与晶向无关 反应控制：与晶面原子密度有关，(111)(100) 杂质对氧化速率的影响 硼（使结构疏松），磷（增加氧化反应速率） 水汽（使结构疏松） 钠（使结构疏松） 氯（改善界面特性，五大优点） 氧化过程中产生的悬挂键与界面电荷 §2.5氧化工艺装置 干氧氧化装置示意图 水汽氧化进气系统示意图 §2.6 热氧化过程中的杂质再分布 杂质的分凝现象 杂质通过SiO2表面逸散 氧化速率的快慢 杂质在SiO2中的扩散速度 分凝系数m＝ 杂质在Si中的平衡浓度 杂质在SiO2中的平衡浓度 §2.7 Si-SiO2界面特性 可动离子电荷Q m 网络改变者，荷正点碱金属离子，Na+ 氧化层固定电荷Q f Si-SiO2之间过渡区的结构变化引起的片电荷，过剩硅离子 界面陷阱电荷Q it 存在于Si-SiO2界面，可参与交换电荷的陷阱能级或电荷 氧化层陷阱电荷Q ot 位于SiO2中和Si-SiO2界面附近，可俘获电子或空穴 小结 SiO2在IC中的作用 SiO2的结构和性质（本征，含有杂质） 三种热氧化法各自的特点（干氧、湿氧、水汽） 热氧化的基本过程（四步） 热氧化动力学（扩散控制、氧化控制） 决定和影响氧化的各种因素（温度、水汽、氯等） 氧化工艺设备（干氧、水汽） 热氧化中的杂质再分布 天津工业大学 CompanyLOGO SiO2 结晶形（石英，水晶等） 无定形（玻璃，SiO2薄膜） Si-O四面体 本征 SiO2 硅原子 桥键氧 非桥键氧 非本征SiO2 硅原子 桥键氧 非桥键氧 网络改变者 网络形成者 生成的SiO2的质量： 干氧氧化湿氧氧化水汽氧化 氧化速率： 干氧氧化湿氧氧化水汽氧化 交替氧化： 干氧——湿氧——干氧 干氧 湿氧 水汽 直接加热法 闪蒸法 冒泡法 氢氧合成法