半导体毕业论文--宽禁带Sic MESFET发展及增益特性研究.docxVIP

宽禁带SiC MESFET发展及增益特性研究 摘要：近些年来，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料成为继以硅和砷化镓为代表的第一代、第二代半导体材料之后迅速发展起来的第三代新型半导体材料。SiC半导体材料具有宽带隙、高饱和漂移速度、高热导率、高临界击穿电场等突出优点，特别适合制作大功率、高压、高温、抗辐照电子器件。此外，由于SiC功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此SiC功率器件也被誉为带动新能源革命的“绿色能源”器件。文章研究了新型宽禁带半导体材料的性能及发展，在此基础之上进行了SiC MESFET功率增益的研究。 关键字：SiC材料，4H-SiC MESFET，功率增益，功率器件 Abstract: Recent years silicon carbide (Sic) and gallium nitride (GaN) become the typical material for the 3rd generation semiconductor, following?the?silicon and gallium arsenide as the representative of the first-generation and the second-generation semiconductor materials. SiC semiconductor materials have broadband gap, high saturation drifting velocity, high heat conductivity, high critical breakdown electric field such prominent advantage, which are suitable for making high power, high pressure and high temperature resistance, irradiation electronic devices. In addition, because of SiC power devices can significantly reduce the energy consumption of the electronic equipment, so SiC power components is known as the “green energy” device. The new wide band gaps of semiconductor materials are introduced in the paper. Also the SiC MESFET power grain has been studied in this paper. Key words：SiC, 4H-SiC MESFET, power grain, power device 0 引言 随著微电子技术的发展，传统的Si和GaAs半导体材料出于自身结构和特性的原因，在高温、高频、大功率以及抗辐射等方面越来越显出其不足和局限性[2]。硅器件难以在高于250℃的高温环境下工作，特别是当高的工作温度与大功率、高频及强辐射环境条件并存时，硅器件就无法胜任。在科学技术飞速发展的今天，对能够在高温、高辐射、高功率环境下工作的新型半导体材料有着迫切需求。为此，人们对新型半导体材料的进行了广泛的研究，在众多的新型半导体材料之中，SiC以其优良的物理和电学性能引起了人们的重视，已经成为继第一代半导体材料硅和第二代化合物半导体材料砷化镓、磷化镓、磷化铟之后逐渐兴起的第三代半导体材料。 1 SiC材料的优势 半导体的材料特性在一定程度上决定了器件的功率频率特性，其中击穿电场和饱和电子传输速度是决定器件性能的两个重要的影响因素[2,5]。一方面，静电能量密度可以表示为电场的函数（），当器件内电场等于临界击穿电场的时候，达到功率极限；另一方面，放电时间不能超过半周期，而放电时间取决于载流子传输到电极的延迟时间，因此载流子饱和速度决定了频率极限。表1-1列出了不同半导体材料性能的比较[7,8]。 SiCSiGaAs4H-SiC6H-SiC3C-SiC禁带宽度（eV）3.233.02.361.11.42击穿电场（MV/cm）3~53~510.60.6热导率（）3~53~53~51.50.5饱和速度（）222.51.01.2介电常数9.669.669.7211.913.1溶点（K）~3100K (35atm)~3100K (35atm)~3100K (35atm)1690