毕业设计外文翻译--一种新的1 -V二阶温度补偿参考电流.docVIP

一种新的1 -V二阶温度补偿参考电流 摘要：本文主要提出了一个新的双极型温度补偿参考电流。一阶温度补偿是在温度自我补偿配置的构思下，利用复合电阻的温度系数实现的。 二阶补偿采用了VBE热跟踪技术，从而获得更好的温度方面的性能。本文所提供的电路可以在1V电源下工作。当供应电压为1V，在0.036%/V的电源调节器作用下，且温度为25℃作用下，此时实现的温度系数是46.6×10?6/℃ [0, 100℃]。与当前普遍使用的电路相比，本文提出的温度系数和电源调节电路展示出了较好的效果。在详细探讨参考电流的问题的时候，经常会遇到电流匹配的问题。 关键词:1V; 参考电流；自我补偿；二阶补偿；电流匹配 参考电流，一个经常会遇到的难题。从间隙参考电压到偏置电压，在大量的程序中，参考电流得到了广泛的应用。为了实现温度稳定的电流双极技术，是一种基于△ VBE 起源于VBE电流PTAT）但是，下面的调查表明， 当考虑电阻率的一阶温度系数时，我们让Irf 公式里的Iref是是集电极电流Q1，k是波尔自曼常数，q是电子电荷，T是绝对温度，R(T0)是电阻R在T0时的值。TC1 是电阻R的一阶温度，m是发射极Q1 and Q2的比值，T0 =298.15 K 所以，如公式 从公式（2）我们可以很轻易的得出结论当TC1 比1/T0小的时候，Iref是PTAT。相反，电流会是IPTAT（ PTAT的负值）假如TC1超过1/T0，电阻的一阶温度系数将被设置为TC1=1/T0=3 354 10 / C 然后Iref是恒定的，在整个温度范围内，Iref是相当理想的电流。然而，实际的案例就来源于此，由于大量的非理想特性，这些非理想特性将会减小到后来的技术所描述的那种令人满意的程度。 一个电阻的一阶温度系数等于1/T0，可以通过对两个电阻率，看他们各自的一阶温度系数哪个比1/T0大。哪一个比1/T0更小做出一个合适的选择，两个电阻率可以这样表示如下： 如公式（4）.. 其中的一阶温度系数TC1(RH)和TC1(RL)是RH 和 RL各自的一阶温度系数。 符合条件的两个分支电流，亦即，Q1 and Q2由于方程的有效性在这个电路是非常重要的。 方程（1）严重的依赖于 IC1 and IC2之间的平等关系。即使适度的两个电流的不相匹配也会使最佳补偿产生巨大的偏差。所以，旨在缓解这种误差的技术的存在和应用是非常必要的。 值得指出的是这里所探讨的匹配问题指的是系统的不匹配所造成的电路设计和 布局和工艺引入的随机误差 将被忽略。我们要减小欧拉电压的敏感性， 对于这种欧拉电压不仅产生少量的电源调节作用，也会产生电流匹配作用。偏置电路拓扑结构采用诺塔的细胞形式，这种形式很好的解决了早期的问题。 然而，对于基本电路，由于数百阶次级数的纳米安培，它仍然显示出了明显的不稳定性。为了减小由于基本电流而引起的系统不匹配问题，原始电路采用了精确和大量的修正电路。对于图1b中，基本电流IB1, IB2 和 IB6引起 IC1 与IC2之和不相等，即使IC1IC2 ，IC3等于IC4 其中 方程右侧的前两个方面，方程（5）来源于 IC1和IC2的总和与IC3 和 IC4的总和之差。第3项表明IC5 与tIC3 和IC4之和的差，而最后一条的差异来源于IC5 和 IC6.之间的差异。很明显，最后两条明显的不相匹配。所以，为了缩小不匹配的程度，我们可以假设： 其中，IS3, IS4, IS5分别是Q3, Q4,和 Q5的饱和电流。在本电路的设计中，我们利用启动电流，使其的基极电流Q3 ? Q5 的总和。 其中，VApnp是PNP晶闸管的欧拉电压，a是发射极的电流放大器。 其中，取消了方程组（8）的第三项是负项部分和方程组（8）的前两项，尽管 方程式中的VCC看起来有些不合适，它不仅增加了VCC的不匹配度。计算结果表明，IC1 和IC2之间的差异仅仅是几纳米安培。这几纳米的差异正好与仿真的结果一致，从而确保了方程式（1）的精度和准确性.。另外，添加的Rcomp是为了补偿Q1 和Q2的基本电阻的不等价。 如果我们想达到更好的系统性能，电阻的二阶温度系数(TC2)就不能被忽略。后一阶补偿电流由于电阻的二阶温度系数(TC2)的作用而展现出抛物线的的形状。这里的后一阶补偿电流的作用日益显著，其影响随着T2的变化而变化。为了消除高温而未引入低温度干扰的影响，理想的作法是只在高温时添加小的电流。在这种电路中，热启动电路对于产生所需要的电流是很有帮助的。 在图示2中，晶闸管Q7在低温时是断开的，而当温度达到40℃的时候是开通的，为了避免过补偿，VBE跟踪方案是减慢 IC7在温度方面的上升速度。如图