正确选择多路开关汇.docxVIP

应用笔记638正确选择CMOS模拟开关摘要：本文概述了模拟开关的基本结构、工作原理和应用范围；定义了导通电阻、平坦度和电荷注入等与性能密切相关的指标；并对ESD保护、故障保护和加载-感应功能等针对特定应用的特性进行了介绍。 引言集成模拟开关在25年前首次问世以来，常常用作模拟信号与数字/glossary/definitions.mvp/term/DC-DC%E6%8E%A7%E5%88%B6%E5%99%A8/gpk/78控制器的接口。本文将介绍模拟开关的理论基础及其常见的应用，另外还将讨论校准型/glossary/definitions.mvp/term/%E5%A4%9A%E8%B7%AF%E5%A4%8D%E7%94%A8/gpk/216多路复用器(cal-mux)、故障保护型模拟开关、/glossary/definitions.mvp/term/%E5%8A%A0%E8%BD%BD-%E6%84%9F%E5%BA%94/gpk/131加载-感应开关等模拟开关的特殊性能。近几年，集成模拟开关的开关性能有了很大的提高，它们可工作在非常低的电源电压，具有很小的封装尺寸。无论是性能指标还是特殊功能都可提供多种选择，有经验的设计人员可以根据具体的应用挑选到理想的开关产品。标准的模拟开关/glossary/definitions.mvp/term/CMOS/gpk/414CMOS模拟开关易于使用，这一点已为大多数设计者所公认。但是，需要提醒大家的是：千万不要轻视模拟开关在某些工程问题中所发挥的作用。现在，许多/glossary/definitions.mvp/term/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93/gpk/1003半导体厂商仍在生产一些早期的模拟开关，如：CD4066、/MAX4066MAX4066等，其基本结构如图1所示。Maxim还提供/MAX4610MAX4610等与工业标准器件引脚兼容、但性能更优的产品。图1. 采用并联n沟道和p沟道MOSFET的典型模拟开关的内部结构将n沟道MOSFET与p沟道MOSFET并联，可使信号在两个方向上同等顺畅地通过。n沟道与p沟道器件之间承载信号电流的多少由输入与输出电压比决定。由于开关对电流流向不存在选择问题，因而也没有严格的输入端与输出端之分。两个MOSFET在内部/glossary/definitions.mvp/term/%E5%8F%8D%E7%9B%B8%E5%BC%80%E5%85%B3%E8%B0%83%E8%8A%82%E5%99%A8/gpk/180反相与同相放大器控制下导通或断开。这些放大器根据控制信号是CMOS或是/glossary/definitions.mvp/term/TTL/gpk/789TTL逻辑、以及模拟电源电压是单或是双，对数字输入信号进行所需的/glossary/definitions.mvp/term/%E7%94%B5%E5%B9%B3%E5%8F%98%E6%8D%A2%E5%99%A8/gpk/197电平转换。低电阻开关求出VIN在各种电平下的p沟道与n沟道MOSFET导通电阻(RON)的并联值(积除以和)，可以得到这种并联结构的复合导通电阻特性(图2)。这个RON随VIN的变化曲线在不考虑温度、电源电压和模拟输入电压对RON影响的情况下为直线。然而请注意，上述因素会带来负面效应，将它们降至最小常常是新产品设计的主要目标。见表1。图2. 图1中的n沟道和p沟道导通电阻构成一个复合的低值导通电阻表1. 低导通电阻开关Part NumberFunctionRDS(ON)(Ω max)ICOM(OFF)/ID(OFF) (nA max)RON Match(Ω max)RON Flatness(Ω maxtON/tOFF (ns max)Charge Injection (pC typ)Supply Voltage Range (V)Pin-Package/MAX312MAX312/MAX313/MAX3144 SPST NC/NO/NO,NC100.51.52225/18530±4.5 to ±2016-DIP|SO/MAX4614MAX4614/MAX4615/MAX46164 SPST NO/NC/NO,NC1011112/106.5+2 to +5.514-DIP/SO/16-QSOP早期的模拟开关工作于±20V电源电压，导通电阻RON为几百/glossary/definitions.mvp/term/%E9%98%BB%E6%8A%97/gpk/1022欧姆。最近的产品(如/MAX4601MAX4601)具有低得多的电源电压，最大导通电阻只有几个欧姆。电源电压对RON有显著的影响(图3)。MAX4601额定的输入信