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共85页 版图绘制及Virtuoso的使用 周海峰 2008年9月24日 典型深亚微米工艺流程 Design Rule的简介 Virtuoso软件的简介及使用 版图设计中的相关主题 1 典型深亚微米工艺流程 这里介绍目前比较普通的N阱CMOS工艺流程，用到的wafer是p型衬底，所以需要用nWELL来构建p沟器件，而n型MOS管就构建在p衬底上，而对于SMIC工艺来讲，NMOS构建在nWELL的反版也就是pWELL中。 第一张mask定义为n-well(or n-tub)mask a)离子注入：制造nwell。 b)扩散：在所有方向上扩散，扩散越深，横向也延伸越多。 第二张mask定义为active mask。 有源区用来定义管子的栅以及允许注入的p型或者n型扩散的管子的源漏区。 忽略版图中无法体现的一些mask：诸如channel stop、阈值电压调整等 要介绍的第三张mask为poly mask： 它包含了多晶硅栅以及需要腐蚀成的形状。这还用来定义源漏的自对准。 第四张mask定义为n＋mask，用来定义需要注入n＋的区域。可以看到多晶硅栅用来作为源漏的自对准层。这里的注入为两次注入，首先轻掺杂注入，在栅上生成一层氧化层后再重掺杂注入，形成LDD结构。 第五张mask是p＋mask。 p＋在Nwell中用来定义PMOS管或者走线；p＋在 Pwell中用来作为欧姆接触。