毕业论文--III-V族绨化物热光伏电池发展概述.docVIP

Ⅲ-Ⅴ族锑化物热光伏电池发展概述 摘要：随着热光伏（TPV）发电系统的快速发展，锑化物半导体因其禁带宽度较小，光谱响应范围宽，适合作为热光伏系统的光电转换部件，得到了广泛的应用。本文简单介绍了热光伏系统，进而对几种具有代表性的Ⅲ-Ⅴ族锑化物电池的发展及趋势做简要论述。 关键词：热光伏系统 TPV电池 GaSb GaInAsSb 量子点 1引言 热光伏（TPV）系统是将高温物体辐射的近红外光(800~2000nm)照射半导体PN结，产生光生伏特效应以实现光电转换的系统，其原理与太阳能电池相似，只是所用的光谱范围不同而已。早在1956年H.H.Kolm就设计了一个原始的热光伏系统，输出功率可达1W[1]，到上世纪60年代美国麻省理工学院的研究人员给出了较完整的热光伏系统的原理和概念，但限于当时的技术条件，一直处于理论研究阶段。 直到90年代初出现了低禁带的锑化物，TPV的一些优越性才得以展现，开始受到人们的广泛关注。TPV具有较高的能量输出密度和理论效率；可使用多种燃料；具有便携、无移动部件、污染小和可同时产生电热能等优点，前景很被看好。本文将对热光伏系统基本原理以及典型的锑化物电池的发展作简单介绍。 2 热光伏系统的构成 典型的热光伏系统包括以下几个部分：热源、热辐射器、光学滤波器、热光伏电池。其他子系统作为提高系统的转换效率或为能量的循环利用而适度增加的，如热回收器、辅助组件等。热回收器进行热能的回收利用，辅助组件用于散热、废气废热的排放和整个系统的集成。典型的热光伏系统如图1所示。 图1 TPV系统示意图 能够作为TPV热源的有工业废热、核热能、燃料燃烧的热能、太阳热能（通过聚焦太阳光产生热能）等。热辐射体吸收热能并辐射红外光子，实现热到光的转换，它是TPV系统的核心部分，主要包括选择性辐射体和灰体辐射体[2]。光学滤波器的作用是将不能被转换成电能的低能红外光反射回辐射体加以重新利用，以实现宽带辐射体与电池之间光谱的匹配，提高热能源的利用效率的同时，也降低了电池的工作温度。TPV电池将红外光通过光伏效应转换为电能，实现光到电转换，是系统的另一重要核心。TPV电池采用窄禁带半导体材料以拓宽利用低能量红外光，目前被广泛研究的典型材料有中红外锑化物半导体，Ge、InGaAs和InAsP等非锑化物半导体，其中以锑化物最为广泛。 3 热光伏电池基本原理 当近红外光线照射到热光伏电池上时，电池吸收光能，产生光生电子—空穴对。在电池的内建电场作用下，光生电子和空穴被分离，光电池的二端出现异号电荷的积累，产生光生电压，这就是“光生伏特效应”。若在内建电场的两侧引出电极并接上负载，则负载中就有光生电流流过，从而获得功率输出。光伏电池接负载的等效电路如图2所示。其中Iph光电流，负载R电流为I，Ish是泄露电阻，其产生因素比较复杂，如电池表面沾污而产生的沿着电池边缘的表面漏电流;沿着位错和晶粒间界的不规则扩散或者在电极金属化处理之后，微观裂缝、晶粒间界和晶体缺点等路而产生的漏电流。 图2 光伏电池等效电路图 串联电阻的产生是太阳电池不可避免的，主要包括扩散顶区的表面电阻、电池的体电阻、上下电极和电池之间的欧姆接触及电极金属导体的体电阻。填充因子为，其中Voc和Isc分别为 开路电压和短路电流。填充因子能表征光电池的优劣，在一定光照下，填充因子愈大，输出功率愈高，电池的转换效率越高。填充因子与入射光光强、反向饱和电流、串并联电阻都有关系。光电池受光照时，输出功率与入射光功率之比称为光电池的效率，，At为电池总面积，Pin单位面积为入射光功率，Voc、Isc和F·F共同影响效率。提高效率可以从工艺等方面考虑，如做绒面电池；在电池背表面做光子反射层以增加光电池的响应；采用适当退火或杂质吸附，提高各区的少子寿命，从而提高光电流和光电压；正面减反射膜，可以提高短路电流。 4 Ⅲ-Ⅴ锑化物热光伏电池 Ⅲ-Ⅴ族锑化物半导体（ABCS）是指以Al、Ga、In等Ⅲ族元素与As、Sb等Ⅴ族元素形成的化合物半导体，包括AlSb、GaSb、InSb等3种二元系，AlGaSb、AlAsSb、AlInSb、GaInSb、GaAsSb、InAsSb等6种三元系，AlGaInsb、AlGaAsSb、GaInAsSb、InAsSbP等四元系[3]。ABCS具有许多优良的物理特性，它在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料中具有最大电子迁移率、最大电子饱和漂移速度、最小的禁带宽度和最小载流子有效质量等，但也存在诸如俄歇复合系数高、本征载流子浓度较大短等影响器件性能的缺点[4]。 很多锑化物因无晶格匹配的衬底或工艺条件还不成熟而暂时无法制作高质量的器件。到目前被广泛研究的材料主要有以GaSb和InAsSb、GaxIn1-xAsl-ySby为代表多元锑化物，它们随带隙不同而适用于不同辐射