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电子空穴对 例：判别二极管是导通还是截止。 例： 课本P60－64 2.1.1 2.4.1、2.4.3、2.4.6、2.4.12 2.5.1 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 2、伏安特性 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 稳压管：１）加正向电压时同二极管 ２）加反向电压时使其击穿后稳压 限流电阻 (1) 稳定电压UZ —— (2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?U /?I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 最小稳定工作 电流IZmin—— 保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 (4) 最大稳定工作电流IZmax—— 超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。 (5) 最大允许耗散功率PZM—— 3. 稳压二极管主要参数 2.5.1 稳压二极管 4. 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ # 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 稳压管的工作条件 （１）必须工作在反向击穿状态 （２）电路中应有限流电阻，以保证反向电流不超过允许范围。 IR IZ Io 稳压管的稳压过程。 RL Io IR Vo IZ IR Vo 限流电阻起限流作用，保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 例：图示电路中，稳压管VS1、VS2的稳压值分别为UZ1＝5V，UZ2＝7V，正向压降为0.7Ｖ，若输入电压Ui波形如图所示，试画出输出电压波形。 R R VS1 VS2 Ui UO Ui t 6V 12V －2V Ui 经电阻分压 UR＝Ui/2 当UR 5V，VS1、VS2 截止， U0=UR 7VUR5V，VS1反向导通，VS2截止 ，U0=Uz1 UR － 0.7V， VS1、VS2正向导通，u0=－0.7V Uo t 3V 5V －0.7V 解： 第 二 章 2.2.3 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 雪崩击穿 2.2.3 PN结的反向击穿 PN结的雪崩击穿符号 当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获 得能量，又可通过碰撞，再产生电子–空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增， PN结就发生雪崩击穿。 齐纳击穿 在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存一个强电场，它能够破坏共价键，将束缚电子分离出来造成电子–空穴对，形成较大的反向电流。发生齐纳击穿需要的电场强度约为2×105V/cm，这只有在杂质浓度特别大的PN结中才能达到，因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度（即杂质离子）也大，因而空间电荷区很窄，电场强度可能很高。 2.2.3 PN结的反向击穿 电击穿——可逆 热击穿——烧坏PN结 2.3 半导体二极管 2.3.1 半导体二极管的结构 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.3 二极管的参数 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 二极管 = PN结 + 管壳 + 引线 N P 符号 + 阳极 - 阴极 2.3.1 半导体二极管的结构 2.3.1 半导体二极管的结构 二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 硅：0.5 V 锗： 0