電鍍製程介紹.ppt

電鍍製程介紹 Content PTH製程介紹 電鍍原理 填孔電鍍原理 切片分析 目的 電鍍是指用外電源把金屬電解沈積在導電的物體表面，而鍍通孔的目的為使孔壁上之非導體部分之樹脂及玻璃纖維進行金屬化，以進行後來之電鍍銅製程，做為上下電極之連結，完成足夠導電及焊接之金屬孔壁。 流程 前處理 去膠渣 目的: 去除膠渣：去除鑽孔後所殘留於孔內的Smear，以防止內層 銅與孔銅發生open的情況。 產生粗糙度：增加孔壁粗糙度，以增強後製程之結合力。 膨鬆槽(Sweller) 主要目的： 清潔孔內附著力差的膠渣，去除輕 微油脂 溶劑可軟化樹脂表面及內層銅表面之膠渣 提供一均勻之表面能被高錳咬蝕 Permanganate(高錳酸鈉槽) Permanganate反應式 化學銅(PTH) 目的: 將鑽孔後或除膠渣後之非導體區(如樹酯、玻纖) ，利用化學沉積方法，覆蓋良好之導電薄膜，以利後續電鍍製程之進行，進而達到層與層之間的導通之功效。 電鍍 目的: 主要為利用直流(脈衝)電流，在溶液中將帶正電的金屬離子，送到位於陰極的導體表面。在此製程即是將銅離子還原成銅金屬，使板面及孔內得到我們所需要的鍍層厚度。 What is plating? 典型的硫酸銅電鍍參數 硫酸銅 - 提供銅離子 硫酸 - 提供導電度 氯離子 - 使得銅離子析出平衡/與Carrier作用 光澤劑 - 改善鍍銅結晶 整平劑 - 改善TP% 電鍍填孔介紹 Introduction Demand of further miniaturization High filling reliability in comparison with conductive paste Using stacked via and via on pad designs to add packaging density. Thermal management enhancement. Via filled V.S conventional electrolyte Key factors of via filling plated Equipment Vertical plating system Chemical Inorganic Components Organic Components(additives) Plating parameter Current density Temp. Plating thickness Shape/profile of microvia Vertical Continuous Copper Plater Via Fill Mechanism Influence of Current Density Influence of Temperature Influence of Plating Time Via Profile Effects Effect of Material VF Flowchart Definition Copper Via Fill Development Targets Performance Reliability IR (235oC, 15sec, 10cycles) ? Pass Hot Oil (260oC, 10sec, 3cycles) ? Pass Thermal shock(-55~125oC, 15min, 100cycles) ? Pass Thermal stress (288oC, 10sec, 6cycles 260oC, 10sec, 4cycles) ? Pass Reliability-Thermal shock Process capability The uniformity of plating : 10% Via diameter : 95~150um Material : RCC PP Dielectric thickness : 50~100um non-void Dimple15um Conclusion Via filling plated provides considerable benefits: Increased functionality of electronic devices Increased wiring density of PCBs Higher reliability