低能电子衍射谱.ppt

任何具有二维周期性的结构都可以用一个二维晶格或称为网格的点阵加上基元来描述。 这个网格是平面上的点子沿两个方向周期排列所形成的无限点阵，每个点子周围的情况(即原子的排列)都是相同的，这些点子就称为格点。 在每一格点附近相同的这种原子集合就称为基元，所以一个网格加上一个基元就唯一的确定了一个表面结构。 对于简单结构，基元可以由一个原子组成，此时网格点就代表原子；对于复杂的表面结构基元，可以由许多原子组成，而格点也代表这样一个原子基团的质心。 二维晶格中的所有点都可由原点通过下列平移来达到 　　T = n1a+n2b 式中的a, b是二维网格的“基矢” 由于两维周期结构只存在有限的点群(十个)，它们将限制可能出现的原始平移的种类。可以证明这种相互限制的结果，使得只可能有五种二维布喇菲网格存在。 五种二维格子 晶列：与三维晶格一样，二维格子中排列在平行直线上的格点形成二维晶格中的平行晶列。 为了表示这些平行晶列的取向，可在平面上选取一坐标系，其坐标轴与基矢a, b平行。设晶列在a, b轴上交点的坐标为s1a, s2b，1/s1:1/s2=h1:h2为一组互质的整数，晶列的方向就是由(h1, h2)决定，(h1, h2)既是二维晶格的晶列指数。 一组(h1, h2)表示的不只是一条晶列，而是一组相互平行的晶列系。同一晶列系中相邻晶列间的距离可由表示这一组晶列的指数求得。 相邻晶列间的距离 斜方格子(P) 长方格子(P,C) 正方格子(P) 六角格子 二维倒格子：和三维情况一样，为了讨论二维周期结构中波的运动，可以引进“倒格子”的概念。 二维倒格子的基矢 b1 , b2与二维布喇菲格子的基矢a1, a2间的关系为： ai·bj = 2??ij 。设c是垂直表面的单位矢量，则: 与真实空间中的位移矢量一样，倒格子空间的平移对称性可由下式表示：? 倒格子空间的所有格点都可以由原点通过平移得出。Kh也表示倒格子空间的格矢，称为倒格矢。 Kh的方向与晶列指数为(h1, h2)的晶列垂直，长度等于晶列间距倒数的2?倍。 由于一个表面晶列相当于与表面垂直的一个晶面，所以二维倒格矢Kh包括了与表面垂直的一组晶面的面间距和法线方向两个信息。 为了说明晶体表面的重构现象或吸附在表面上外来原子的结构，通常都是取与表面平行的衬底网格作为参考网格，将表面层的结构与衬底结构作比较来对表面网格进行定标。 设衬底网格的周期性由下式表示： T = n1a+n2b 表面网格的周期性为 Ts = n1as+n2bs 在最简单的情况下，可有 as=p a, bs=q b (p,q为整数) 即表面网格的基矢和衬底的基矢平行。在这种情况下，习惯上用下面的缩写符号表示： R(hkl)p?q-D 其中，R表示衬底材料的符号，(hkl)表示表面平面的密勒指数，D是覆盖层或淀积层物质的化学元素符号。 在更一般的情况下， ?as=p1 a+ q1 b，bs=p2 a+ q2 b 如果as，bs之间的夹角等于a，b之间的夹角，则通常用下列符号表示： 式中?是表面元格相对衬底元格所转过的角度。 表示硅(111)清洁表面有表面重构现象，表面网格的周期是Si(111)面上周期的七倍，两个网格间没有相对转动。 Ni(001)晶面上吸附了一层S后，S原子形成的正方网格。元格边长为衬底Ni(001)面上元格基矢的√2倍，而且两个元格相对旋转了45o。这样的结构记为Ni(001)√2?√2-45o-S。由于这种表面结构看上去具有“中心正方”网格的特征，所以文献上经常采用另一种符号C(2?2)表示。 LEED ?? 引言 1921年 Davisson 和Germer研究了电子束在单晶表面的散射现象。并发现了电子的散射不是各向同性的。 30年代后，人们开始了低能电子衍射方面的研究。 60年代，随着超高真空技术的发展，人们认识到获得清洁表面对观察低能电子衍射图象的重要性，用LEED研究了Ti, Ge, Si, Ni, SiC等的表面原子排列，并开始研究气体在单晶表面的吸附现象。 LEED ?? 引言 从七十年代开始，开展了 LEED 强度特性的理论研究，并结合计算机模拟计算，对表面结构进行研究。 目前，人们已对一百多种表面结构进行了研究，得到许多表面吸附结构方面的新知识。 LEED ??低能电子衍射概述 入射电子的能量通常为20~ 500 eV，对应的波长为0.3~0.05 nm。 LEED ??低能电子衍射概述 LEED ??低能电子衍射概述 晶体中的原子对能量在0~500 eV范围内的电子有很大的散射截面，入射电子在经受弹性或非弹性散射之前是不能进入晶体很深的。因此，背散射