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第1章 半导体器件 半导体器件是近代电子学的重要组成部分。 体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小、功率转换效率高等优点而得到广泛的应用。 三、 极限参数 1. 集电极最大允许电流 ICM 当 IC 过大时，三极管的 ? 值要减小。在 IC = ICM 时， ? 值下降到额定值的三分之二。 2. 集电极最大允许耗散功率 PCM 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 将 IC 与 UCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。 ICUCE PCM 为安全工作区 ICUCE PCM 为过损耗区 IC UCE O PCM = ICUCE 安 全 工 作 区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 过 损 耗 区 图 1.3.11　三极管的安全工作区 3. 极间反向击穿电压 外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。 　　U(BR)CEO：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。 　　U(BR)CBO：发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。 　　安全工作区同时要受 PCM、ICM 和U(BR)CEO限制。 过电压 IC U(BR)CEO UCE O 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 ICM 过流区 图 1.3.11　三极管的安全工作区 1.4　场效应三极管 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅场效应管 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 D S G N 符号 1.4.1　结型场效应管 一、结构 图 1.4.1　N 沟道结型场效应管结构图 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 P 沟道场效应管 图 1.4.2　P 沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 符号 G D S 二、工作原理 N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电流 ID 的。 G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极 P+ P+ 耗尽层 　　*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 ID 减小，反之，漏极 ID 电流将增加。 ID = 0 G D S N型沟道 P+ P+ (a) UGS = 0 ID = 0 G D S P+ P+ N型沟道 (b) UGS 0 VGG ID = 0 G D S P+ P+ (c) UGS = UP VGG ① vDS=0时， vGS 对沟道的控制作用 当vGS＜0时， PN结反偏，| vGS |??耗尽层加厚?沟道变窄。 vGS继续减小，沟道继续变窄，当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。对于N沟道的JFET，VP 0。 ② vGS=(VGS(off)~0) 的某一固定值时，vDS对沟道的控制作用 当vDS=0时，iD=0；vDS ? ? iD ?，同时G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时vDS ? ?夹断区延长?沟道电阻? ? iD基本不变，表现出恒流特性。 G D S P+ N IS ID P+ P+ VDD VGG UDS较小时 G D S P+ N IS ID P+ P+ VDD VGG G D S IS ID P+ VDD VGG P+ P+ UDS= VGS(off)时 UDS VGS(off)时 ③ vDS为某一固定值(vDS 0)时，vGS （ vGS ≤ 0）对iD的控制作用 综上分析可知：(a) JFET沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管； (b) JFET 栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此输入电阻很高；(c) JFET是电压控