综电子电工合考试试卷一.docVIP

电工与电子技术基础综合试卷一 班级： 填空题 1、常用的半导体材料有_____________、_____________。 2、PN结具有______________性能．即：加_______电压时PN结导通； 加_______电压时PN结截止． 晶体二极管的重要特性是_____________,硅二极管的死区电压是_______V，锗二极管的死区电压是_______V，硅二极管导通时的正向压降约_______V，锗二极管导通时的正向压降约为________V。 三极管IC、IB、IE之间的关系式是__________　___ 三极管中两个PN结，分别是_________　_、_________　_。 三极管的符号：NPN型_________　_， PNP型________　_。 三极管工作在放大区的条件：___________________　______________。 画直流通路时，将电容视为 ，其它不变，画交流通路时，将较大容量的电容视为 。 9、三极管工作的三个区：__________、__________、___________。 10、晶闸管的图形符号__________，其具有三个极：________、________、_________， 判断题（每条2分） 1、晶体二极管内是一个ＰＮ结，所以具有单向导电性。………………（ ） 2、晶体二极管和三极管是线性元件。………………………… （ ） 3、集成运放可以完成加法、减法，积分，微分等各种数学运算。… （ ） 4、晶体二极管加正向电压时一定导通。…（ ） 5、场效应管和晶体三极管一样是电流控制器件。……………（ ） 6、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。……（ ） 7、晶体三极管集电极和发射极可以互换。…………… （ ） 8、、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压.（ ） 9、对于NPN三极管，当VBE＞0，VBE＞VCE，则该管的处于饱和状态。…（ ） 10、晶闸管导通后去掉控制电压，则晶闸管立即关断。 。………（ ） 三、选择题 1.PN结形成后，它的最大特点是具有_____ A 导电性 B 绝缘性 C 纯电阻性 D 单向导电性 2.当晶体三极管的发射结正偏，集电结也正偏时，该管工作在______ A 放大区 B 截止区 C 饱和区 D 击穿区 3、三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态____ __ A 放大状态 B 饱和状态 C 截止状态 D、击穿状态 4. 当晶体三极管的发射结正偏，集电结也正偏时，该管工作在______ A 放大区 B 截止区 C 饱和区 D 击穿区 5．放大电路中，核心元件是 。 A 电阻 B 电容 C二极管 D 三极管 6．在单相桥式整流电路中，如果电源变压器二次侧电压有效值是U2,则每只整流二极管所承受的最高反向电压是_________ A U2 B U2 C 2 U2 D 3 U2 7、当晶体三极管工作在放大区时，发射结电压和集电极电压应为 A：前者反偏，后者也反偏； B：前者正偏，后者反偏： C：前者正偏，后者也正偏： D：前者反偏，后者正偏。 8、三极管的输入特性曲线是（ ）之间的关系曲线。 A、IC与IB B、IC与VCE C、VBE与IB D、IC与VBE 9、工作在放大区的某三极管，当IB从20uA增大到40uA时，IC从2mA变为4mA，则它的β值约为（ ） A、10 B、50 C、100 D、15 10、画放大器直流通路时，可将电容看作（ ） A、接地 B、开路 C、短路 D、不变 四、作图题 画出面电路图的直流通路和交流通路 . 计算题 1、在下面的电路中，已知Rb=270KΩ，Rc=3KΩ，RL=3KΩ，Vcc=+12V，三极管的β=50。要求：IBQ,ICQ,VCEQ 2、 在共发射极放大电路中，若三极管的β=50，IEQ=2mA, RC=1KRi ,输出电阻Ro 3、 已知三极管的IC=5.06mA，IB=0.04mA，求发射极电流IE的值。