微影制程簡介.ppt

微影制程簡介 制作人: 孔慶來 微影課五大制程步驟 1.前處理 2 壓膜 3 曝光 4 des 5 aoiDES 前處理制程簡介 1 前處理的主要任務 將進入微影課的板子進行清潔並粗化板面,為壓膜做準備. 2 流程簡介 微蝕的原理 前處理對板面進行粗化的主要制程在微蝕段 主要原理: Na2S2O8 +Cu Na2SO4+CuSO4 主要利用Na2S2O8的強氧化性對銅面 進行咬蝕. 經過一次前外理的微蝕深度為40~60UM 壓膜制程簡介 1 壓膜制程的目的 在板面上下兩面各壓附上一層干膜為 曝光做準備. 2 流程簡介 干膜种類 目前微影課用到的干膜分為 HN930 膜厚30微米 =1.2mil用於內層板和部分外層板 HN240 膜厚40微米=1.4mil 用於外層板 HS920 膜厚20微米=0.8mil 用於MASK板 曝光制程簡介 1 曝光制程的目的 對已壓膜的板子進行曝光對板面需要的 線路部分進行UV光照射. 2 流程簡介 曝光對位管制 目前廠內管制的PE值一般在50微米內.最大不超過80微米. 就是說底片尺寸與基板的底片尺寸差距一般管控在+-50微米以內. 如果PE值過大需再申請底片或按異常板處理 ME值管控:ME SOP管控在+-12.5UM ME為A/W定位於實際曝光的差異. DES制程簡介 1 DES制程的目的 先將沒有被UV光照射到的干膜洗掉,再將 露出的銅蝕刻掉,最后將被UV光照到的干 膜洗掉,從面制作出需要制作的線路. 2 流程簡介 DES線顯影段的原理 基板在作線路前可以在其上下兩面壓上干膜,然后用紫外光對要制作的線路部分進行照射,干膜中的單體成分在受到紫外光照射時會產生聚合反應,形成交聯體,沒有受到光照的部分仍為單体. 沒有聚合的單體在碰到碳酸鈉溶液時可以被溶解成溶於水的鈉鹽. DES顯影段用到的藥液的成份就是1%左右的碳酸鈉. DES線蝕刻段的原理 蝕刻段的主要反應為: CuCl2 + Cu 2CuCl 利用氯化銅的氧化性將單質銅氧化成氯化亞銅.再用HCl,H2O2再生成CuCl2 2CuCl+2H2O2+HCl 2CuCl2+2H20 DES線去膜段的原理 已聚合的干膜能夠溶於強鹼. 目前DES線用的是 2.5%左右的KOH. (在去膜段后為去除表面殘留的KOH需經 酸洗制程.) DES制程能力 目前DES線能做出的線路的最小線寬為2 mil,(即 50微米) 設備能力檢核: UNIFORMITY(蝕刻均勻性) AOI及CVR制程簡介 1 AOI及CVR制程的目的 對微影前制程做出的板子上的線路進行 檢測和檢修.保證線路的完整性和導通性. 2 流程簡介 1.試驗板2/2OZ 20〞×24〞，板厚6mil(含)以上。 2.用MRX-4000先量測一片基板兩面各120點之銅厚值，並記錄於表E內。 3.蝕刻：蝕銅厚平均值需控制在1.0~1.3mil。 4.蝕刻試驗板三片，已量測板放中間。 5. 蝕刻後取中間一片先至前處理酸洗，再量測Data。 6.量測方法：於板邊留3cm的邊，長邊取12點，短邊取10點，共120點 設備能力檢核 計算公式DATA記錄 μ%＝ R/2X ×100% ( X: 蝕銅後蝕銅平均值，Ｒ: 最大蝕銅值－最小蝕銅值) a Data記錄： 1. 需分別記錄Top side 、Bottom side 每一點量測值 2. Top side、 Bottom side、 Both side 之uniformity均需計算 3. 定義： Top side μ% = ×100％ Bottom side μ％ = ×100% Both side μ% = ×100% 1.蝕刻因子（Etch Factor） Etch Factor即為蝕刻品質的一種指標。需製作Microsection微切片，針對影像中線路之狀況代入 V/X之公式計算出蝕刻因子即可。Etch Factor必須要大於2.5。 2. 蝕刻速率（Etch Rate） 用以測試板子經過微蝕段時，銅面被微蝕劑所咬蝕的程度。可將板面上氧化銅、油污等藉由此種 方式去除。板子不可走微蝕太多次，以免造成銅厚不足的情形發生。將樣品板稱重，再拿去走微 蝕、烘乾後再稱重，兩種重量相減，即可得知被蝕刻掉銅之厚度。 蝕刻因子蝕刻