第三章_存储层次机构.pptVIP

三、 存储器层次机构 内容（1） （一） 存储器的分类 （二） 存储器的层次化结构 （三） 半导体随机存取存储器 1. SRAM存储器的工作原理 2. DRAM存储器的工作原理 （四） 只读存储器 （五） 主存储器与CPU的连接 （六） 双口RAM和多模块存储器 内容（2） （七） 高速缓冲存储器（Cache） 1. 程序访问的局部 2. Cache的基本工作原理 3. Cache和主存之间的映射方式 4. Cache中主存块的替换算法 5. Cache写策略 （八） 虚拟存储器 1. 虚拟存储器的基本概念 2. 页式虚拟存储器 3. 段式虚拟存储器 4. 段页式虚拟存储器 5. TLB（快表） （一） 存储器的分类（1） 1. 按存储介质分类 1）半导体存储器 2）磁表面存储器 3）磁芯存储器 4）光盘存储器 2. 按存取方式分类 1）随机存储器 2）只读存储器 3）串行访问存储器 （一） 存储器的分类（2） 3. 按在计算机中的作用分类 （二） 存储器的层次化结构 （1） 存储器有3个重要的指标：速度、容量和每位价格，一般来说，速度越快，位价越高；容量越大，位价越低，容量大，速度就越低。上述三者的关系用下图表示： （二） 存储器的层次化结构 （2） 存储系统层次结构主要体现在缓存-主存-辅存这两个存储层次上，如下图所示： （三） 半导体随机存取存储器（1） 1. SRAM存储器的工作原理 （1）静态存储单元 SRAM静态存储单元的每个存储位需要四到六个晶体管组成。比较典型的是六管存储单元，即一个存储单元存储一位信息“0”或“1”。静态存储单元保存的信息比较稳定，信息为非破坏性读出，故不需要重写或者刷新操作；另一方面，其结构简单、可靠性高、速度较快，但其占用元件较多，占硅片面积大，且功耗大，所以集成度不高。 （三） 半导体随机存取存储器（2） 静态存储单元和存储器原理 （三） 半导体随机存取存储器（3） 1K个双稳态存储单元，用矩阵译码，每个交叉点选择一个存储单元。 （三） 半导体随机存取存储器（3） （三） 半导体随机存取存储器（4） 1K×1 静态存储器框图 （三） 半导体随机存取存储器（5） (2) 开关特性 读周期时序 （三） 半导体随机存取存储器（6） (2) 开关特性 写周期时序 （三） 半导体随机存取存储器（2） 2. DRAM存储器的工作原理 （1）动态存储单元 常见的动态RAM存储单元有三管式和单管式两种，它们的共特点是靠电容存储电荷的原理来寄存信息。若电容上存有足够的电荷表示“”，电容上无电荷表示“0”。电容上的电荷一般只能维持1-2ms，因此即使电源不掉电，电容上的电荷会自动消失。因此，为保证信息的不丢失，必须在2ms之内就要对存储单元进行一次恢复操作，这个过程称为再生或者刷新。与静态RAM相比，动态RAM具有集成度更高、功耗更低等特点，目前被各类计算机广泛使用。 （三） 半导体随机存取存储器（8） 动态存储单元和存储器原理  （四） 只读存储器（1） 前面介绍的DRAM和SRAM均为可任意读／写的随机存储器，当掉电时，所存储的内容消失，所以是易失性存储器。只读存储器，即使停电，所存储的内容也不丢失。根据半导体制造工艺的不同，可分为ROM，PROM，EPROM，E2ROM和Flash Memory （四） 只读存储器（2） 1. 只读存储器（ROM） 掩模式ROM由芯片制造商在制造时写入内容，以后只能读而不能再写入。其基本存储原理是以元件的“有／无”来表示该存储单元的信息（“1”或“0”），可以用二极管或晶体管作为元件，显而易见，其存储内容是不会改变的。 （四） 只读存储器（2） 2. 可编程序的只读存储器（PROM） PROM可由用户根据自己的需要来确定ROM中的内容，常见的熔丝式PROM是以熔丝的通和断开来表示所存的信息为“1”或“0”。刚出厂的产品，其熔丝是全部接通的。根据需要断开某些单元的熔丝（写入）。显而易见，断开后的熔丝是不能再接通了，因而一次性写入的存储器。掉电后不会影响其所存储的内容。 （四） 只读存储器（3） 3. 可擦可编程序的只读存储器（EPROM） 为了能修改ROM中的内容，出现了EPROM。利用浮动栅MOS电路保存信息，信息的改写用紫外线照射即可擦除。 4. 可电擦可编程序只读存储器（E2PROM） E2