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回顾 介质中的高斯定律 介质+电场 束缚电荷 束缚电荷 束缚电荷产生电场 束缚电荷电场+原有电场 新电场 介质中的静电场方程 积分形式 微分形式 利用 化简: 引入能量密度:单位: 例:平板电容器 已知电容器,金属板面积为S,间距为d,充满介质,介质介电系数为ε 课堂作业 “组合”出一个半径为R0,体电荷密度为 ρ的电荷球(如:电子云),需要的能量。 分析: 什么物理概念? 球的对称性有没有用途? 用什么解法? 题解 解法一:按照物理过程——“糊泥” “糊到”距离球心R处时, 半径为R的球壳的电位: 糊上厚度为dR的球壳(“泥”): 糊上厚度为dR的球壳(“泥”)外力需要做的功: 总的功(能量): 题解 解法二:直接利用公式 需要求解:电场强度E 电场力 库仑定律 虚位移法 由带有固定电荷的物体组成的孤立系统 由具有固定电位的导体组成的系统 解题注意事项: 1 电位固定还是电荷固定? 2 移动方向,什么是变量,不是常量! 3 必须首先设定虚位移的正方向! 当介质块处于电容中如图所示的位置时,如果要沿宽边a拖动介质块,所需要的最小作用力是多少(忽略摩擦力)? 作业 虚位移法求解电场力 解题注意事项: 1 电位固定还是电荷固定? 2 移动方向,什么是变量? 3 必须首先设定虚位移的正方向! 下讲课内容 镜像法 散度方程 将散度方程应用于跨分界面的一个扁平圆柱面,其高度为?h,端面为?S。那么根据介质中的高斯定律,得知电位移通过该圆柱面的通量等于圆柱面包围的自由电荷,即 ?h ?S ? 1 ? 2 en D2 D1 令 ?h ? 0 ,则通过侧面的通量为零,又考虑到 ?S 必须足够小,则上述通量应为 式中D1t 及 D2t 分别代表对应介质中电位移与边界垂直的法线分量。边界法线的方向 en 规定为由介质1指向介质2。 ?h ?S ? 1 ? 2 en D2 D1 求得 式中 ?s 为边界上存在的表面自由电荷的面密度。考虑到在两种介质形成的边界上通常不可能存在表面自由电荷,因此 此式表明,在分界面无自由电荷面分布的条件下,两种介质边界上电位移的法向分量相等,即电位移的法向分量连续。 对于各向同性的线性介质,得 此式表明,在两种各向同性的线性介质形成的边界上,电场强度的法向分量不连续。 由于 并且 由上述关系可知边界上束缚电荷与电场强度法向分量的关系为 ——分界面两侧电场强度法向分量不连续是由分界面上介质不均匀性而产生的束缚电荷引起的。 介质与导体的边界条件 静电平衡:导体内部和表面都没有电荷定向移动的状态,称为静电平衡。 过程:当孤立导体放入静电场中以后,导体中自由电子发生运动,这一运动将改变导体上的电荷分布,这电荷的分布反过来又改变导体内部和周围的电场分布。这种电荷和电场的分布将一直改变到导体内部场强处处为零方才停止。 静电平衡时导体内部场强处处为零 1、不可能存在自由电荷的体分布(高斯定律) ——自由电荷只能分布在导体的表面上。 2、导体中的电位梯度为零 ——导体中电位不随空间变化 ——处于静电平衡状态的导体是一个等位体,导体表面是一个等位面。 3、切向分量连续——电场强度垂直于导体的表面,即 导体表面存在的表面自由电荷面密度为 或写为 式中? 为导体周围介质的介电常数。 介质 E, D 导体 en 介质 E, D 导体 en 已知导体表面是一个等位面,因 ,求得电位与电荷的关系为 4、导体内部极化强度为零。介质表面束缚电荷面密度为 式中 为介质表面的内法线方向,则有 静电屏蔽:当封闭的导体空腔中没有自由电荷时,即使腔外存在电荷,腔中静电场仍然为零。这就意味着封闭的导体腔可以屏蔽外部静电场,这种效应称为静电屏蔽。 当金属空壳处于静电平衡时,壳体内的场强为零。这时如果在壳体内作一个封闭面包围空腔,由高斯定律可知空腔内表面上的净电荷为零。又因静电平衡时导体是等位体,因此空腔内表面上的处处无净电荷,而空腔内的电场强度也必然为零。 ? ? ? ? ? ? ? ? 习题2-20,2-23 ,2-27 电场能量 孤立带电体电场能: 多带电体电场能: 连续分布带电体电场能: 能量密度: 小结 * * 电容与分布电容 双导体电容: 多导体电容:分布电容,静电独立(封闭)系统 q1 q3 电场能量 已知在静电场的作用下,带有正电荷的带电体
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