再生性能源与非再生性能源.DOCVIP

第 2章 太陽電池的基本原理 2-1 基本的光電物理 (A) 原子的結構(Atomic Structure) Fig. 1 (1)原子(atom)包含帶正電之原子核(nucleus)與帶負電之電子(electron)，為中性。 2)電子分布在數個能階層(shell)，能階層的能量隨著與原子核之距離增加而提升。 3)每個能階層最多所能容納的電子數為Ne=2n2。例如: 能階層1(shell 1)最多所能容納的電子數為Ne=2(1)2=2。 能階層2(shell 2)最多所能容納的電子數為Ne=2(2)2=8。 能階層3(shell 3)最多所能容納的電子數為Ne=2(3)2=18。 4)最外層的能階層又稱為價能階層(valence shell)，價能階層的電子又稱為的價電子(valence electron)。  半導體(Semiconductor) 1) 半導體材料為矽(silicon, Si)和鍺(Germanium, Ge) 2) 矽原子含14個電子:其中 能階層1的電子數為2。 能階層2電子數為8。 價能階層(能階層3)容納的價電子數為4。 Fig. 2 矽的原子序是 14，晶體是鑽石結構，屬於第 IV 族元素。所謂的第 IV 族元素，是指在它的外層電子軌域上，有 4 個電子環繞原子核運行，而這 4 個電子又稱為價電子。 (3) 矽原子形成的矽晶體(crystal):兩個相鄰的原子共享兩個價電子，形成共價鍵(convalent bond)，同時將原子束缚在一起。 Fig. 3 每個矽的 4 個外層價電子，分別和 4 個鄰近矽原子中的外層價電子兩兩成對，形成共價鍵。 Fig. 4 矽晶體(C)半導體的電流(Current in Semiconductors) 1)未激發的矽原子能階帶圖( 凱氏溫度0K): 價電子均在價電帶(價能階層)，沒有足夠能量越過能隙(energy gap)無法到導電帶(conduction band)，無法導電。 Fig. 5 (2)室溫下(25C)，矽原子之部份價電子吸收充分熱能，由原來的價電帶越過能隙到導電帶。到達導電帶之電子稱為自由電子(free electron)，可以導電(負電)，另外在價電帶留下一個電洞(hole)，也可以導電(正電)，形成電子-電洞對(electron-hole pair)。當導電帶之電子失去能量就會落回價電帶，與電洞再結合( recombination)。 Fig. 6(a) 能階圖ig. 6(b) 鍵結圖 3)矽晶體內之電子-電洞對: 4)純矽之電子流(electron current)和電洞流(hole current): Fig. 8 (D) N型與P型半導體(N-type and P-type Semiconductors) 純矽原子的價電帶有四個價電子，稱為四價原子。因為純矽原子只有少部份價電子吸收充分熱能，由原來的價電帶越過能隙到導電帶成為自由電子，所以導電性不好。 N型半導體 1)為了增加純矽導電帶的自由電子數目，以提高導電性，加入五價原子(價電帶有五個價電子)，如砷(As)、磷(P)、鉍(Bi)、銻(Sb)。 2)五價的原子的4個價電子與矽原子形成共價鍵，多一個電子成為自由電子，這個自由電子是一個帶負電的載子，可以提高導電性。五價的原子又稱為施體原子(donor atom)。摻雜施體的半導體就稱為 N 型半導體。 3) N型半導體的多數載子(majority carrier)為自由電子，少數載子(minority carrier)為電洞。 Fig. 9矽晶體加入五價的銻原子 P型半導體 1) 為了增加純矽導電帶的自由電子數目，以提高導電性，加入三價的原子(價電帶有三個價電子)，如硼(B)、鎵(Ga)、銦(In)。 2)三價的原子的3個價電子與鄰近的矽原子形成共價鍵，因此會在三價原子的周圍產生 1 個空缺，這個空缺就被稱作電洞，這電洞可以當成一個帶正電的載子，可以提高導電性。三價的原子又稱為受體原子(acceptor atom) ，同時把摻雜受體的半導體稱為 P 型半導體。 3) P型半導體的多數載子為電洞，少數載子(minority carrier)為自由電子。 Fig. 10 在矽晶體加入三價的硼原子(E) P-N接合(P-N Junction)的二極體一塊矽晶體材料，一邊摻雜三價原子成為P型半導體，另一邊摻雜五價原子成為N型半導體，中間產生pn接面(pn junction)，形成二極體。 P型區多數載子為電洞，少數載子為自由電子。N型區多數載子為自由電子，少數載子為電洞。 pn接面形成後，N型區的自由電子擴散至P型區與電洞結合，因此在靠近pn接面之N型區形成一層正電荷，在靠近