半导体器件工艺学8_10111_08214.pptVIP

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半导体器件工艺学8_10111_08214

半导体器件工艺学 电子科学与技术系半导体教研室 讲授人:郑陶雷 副教授 2010,9,20 扩散工艺原理与参数监控 按源形态区分的扩散工艺类型 扩散工艺设备 卧式炉(水平放置炉管) 立式炉(垂直放置炉管) 表面浓度测试 四探针法 结深的测量:扩展、显示(样品准备) 染色法 磨角法 滚球法 滚槽法 浓度分布测试 扩展电阻法 按炉膛方向或圆片进出走向 Horizontal Standing 硅圆片的化学清洗 清洗 清洗试剂配制和用途 Suprem Ⅲ programme 1980年代,计算机用于工艺模拟 1990年代,工艺模拟软件在器件研制中得到普遍使用,辅助确定工艺加工的控制条件,推出商用软件包(工作站版本Suprem4 ) 2000年代,本科生教学的毕设及专业教学中逐渐开展相关内容的教学。 实例运用SUPREM软件工具(选用Suprem Ⅲ 上机运行) 安装,拷文件 编程,描述工艺各步 输出结果 提取数据,作图观察 Suprem Ⅲ programme (cont.) title Boron diffusion versus time comment description of material ,orientation,doping type and thickness of the substrate initialize Phospho conc=1e14 111 silico +thicknes=9.9 dx=.04 xdx=.02 spac=125 Comment pre-deposition diffusion temp=1200 time=20 boron conc=1e18 comment drive in diffusion temp=1200 time=240 Dryo print layer print conc total net chemi act boron phos + filename=borondif.01 stop 思考题 掺杂主要有那几种方式?扩散工艺需要分别控制什么参量?结深测试通常采用那几种方法? * * 扩散工艺 气-固扩散 固态源扩散 箱法扩散/粉状源(开管扩散、闭管扩散) 片状源扩散(开管扩散) 液态源扩散(开管扩散) 气态源扩散(开管扩散) 固-固扩散 涂层扩散(开管扩散) 乳胶源扩散(开管扩散)

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