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芯片制造 工艺工艺简介简介 芯片制造工艺流程图 l去铟球清洗 去铟球清洗采用ITO （氧化铟锡）腐蚀液，33℃水浴下 30min左右。 外延片清洗 表面污垢 外延片清洗采用H2SO4 ：H2O2 ：H2O=5：1：1， 60℃水浴，30sec ITO蒸镀 层 层 蓝宝石衬底 层 层 层 蓝宝石衬底 ITO层既导电层和透光层 P-Mesa光罩作业 阴影部分为铬，紫外光无法透过，被光照区域光刻胶 被显影液除去，留下刻蚀区域。 N-ITO蚀刻前预处理 l 利用氧气加射频将ITO欲蚀刻区域轰击干净，防止留有残 胶，影响蚀刻效果。 ITO蚀刻（不 光阻） l将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀10min P-mesa刻蚀 l 利用ICP刻蚀机，主要气体为CL2和BCL3,主要作用离 为 氯离 ，现刻蚀深度带ITO测量为12000 左右。 去光阻 l去光阻后片上图形，紫红色区域为ITO 。 ITO光罩作业 l将所需P区图形留出，待下一步去除P区ITO 。 P-ITO蚀刻前预处理 l原理同N-ITO蚀刻前预处理 ITO蚀刻 l将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀7min 去光阻 lN区P区均显露出来，为下步蒸镀电极做准备 ITO熔合 l熔合目的： l主要使ITO材料更加密实，透光率增加，降 低电压，使ITO层与GaN衬底形成良好的欧 姆接触姆接触。。 l熔合条件： l温度：500℃，10min N/P电极光罩作业 l采用负性胶，未光照区域光刻胶被显影液 掉，留下电极蒸镀区域。 N/P电极蒸镀金属剥离 l采用蒸镀机，电极分三层：Cr ﹨Pt ﹨Au,厚 度分别为：200 ﹨300 ﹨12000 SiO2沉积 l采用设备：PECVD ll主要气体主要气体：：SSiHiH4/N/N2OO lSiO2作用：保护芯片，增加亮度 金属熔合 l熔合目的： l增强欧姆接触，提高稳定性 l熔合条件： l温度：250℃，5min 开双孔光罩作业 l将N/P 电极区域的SiO2露出，以便下步蚀刻 SiO2蚀刻 l将电极上的SiO2用BOE （NH4F+HF）混酸 腐蚀35sec,露出电极。 去光阻 l左图绿色阴影区域为SiO2 ，黄色阴影区域 为金属电极。 l芯片制造过程基本结束 ll送抽测送抽测 l参数正常后送研磨。 有机清洗槽 酸碱清洗槽 筒筒 甩甩 干干 机机 ITO蒸镀机 Temperature：200℃ O2：8.5 光刻机 等离子清洗机 时间:1min30sec 压强:130pa 正向功率120W 反向功率反向功率0W0W ICP刻蚀机 台阶仪 双管合金炉 金属蒸镀机 PECVD 负性光刻胶， 相掩膜版 UV光 负相掩膜