模拟电子技术复习大纲 康华刚(可参考).pptVIP

模拟电子技术基础复习大纲 高等教育出版社 康华光 第三章 二极管及其基本电路 1、理解半导体中有两种载流子 电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后， 共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴 2、理解本征半导体和本征激发 本征半导体——化学成分纯净的半导体 本征激发的特点—— 两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p） 外电场作用下产生电流，电流大小与载流子数目有关 导电能力随温度增加显著增加 N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性 P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但半导体呈中性 3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力） 少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来， 多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 4、熟练掌握PN结 形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空 间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动，达到动态平衡。 单向导电性 —— 不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0 加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD 加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的 漂 移运动 形成反向电流 特性方程：iD=IS（eVo/VT-1） 特性曲线 ： 正向导通：死区、导通区 反向截止：截止区、击穿区 5、理解二极管 单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同 主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、 极间电容、最高工作频率 分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型 导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。 二极管电路的分析计算： 6、特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区） 反向偏置 且VI＞VZ 稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定 参数：VZ、IZ、PZM、rZ 第四章 双极型三极管及放大电路基础 1、理解半导体三极管 ①类型：结构、材料 硅管（VBE=0.7V）、锗管（ VBE= 0.2V） ②电流控制器件 iC=βiB iE=(1+β) iB iB+ iC =iE ③三个工作区 特性曲线 输入： 输出： 饱和区：发射结、集电结均正偏， VBE=0.7V, VCES=0.3V 放大区:发一正,集一反, VBE=0.7遵循iC=βiB 截止区: 发射结、集电结均反偏 VBE＜0.5V 时已进入截止区 ④放大条件 发射极正偏,集电极反偏 发射区杂质浓度大，集电区杂质浓度低，基区窄，杂质浓度低。 c、e不能互换；根据各电极对地电位和各电极电流判断管子类型 ⑤参数 集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗 PCM 、反向击穿电压V（BR）CEO 、 ICBO ? ? ICEO ? T ? ? VBE ? ? IB ? ? IC ? ? ? 2、三极管放大电路 直流通路：Q点—图解法、近似估算法 放大条件、交流参数 交流通路： 、最大输出电压幅度 —图解法、模型法 ① 了解图解法 求Q点