第十章 导体和电介质中的静电场.pptVIP

因为εr 1，上式说明σ′恒与Q反号，在交界面处自由电荷和极化电荷的总电荷量为 总电荷量减小到自由电荷量的1/εr倍，这是离球心r处P点的场强减小到真空时的1/εr倍的原因。 [例] 平行板电容器两极板的面积为S，中间充有两层电介质，介电系数分别为ε1和ε2，厚度分别为d1 和d2，电容器两极板上自由电荷面密度为±σ。求（1）各层电介质中的电位移和场强。（2）电容器的电容。 解： （1）设两层电介质中的场强分别为E1 和E2，电位移分别为D1和D2，E1和E2都与极板面垂直，且为均匀场。 +? E1 E2 D1 D2 S2 S1 d1 d2 A B ?1 E2 ?2 -? 在两层电介质交界面处作一闭合柱形高斯面S2，在此高斯面内的自由电荷为零。由有电介质时的高斯定理得 所以 由于 所以 为了求出电介质中电位移和场强的大小，正极板上另作一个高斯面S1，由有电介质时的高斯定理得 再利用 可求得 、 和 、 的方向都是由左指向右。 得 式中q=σS是每一极板上的电荷，所以这个电容器的电容为 （2）正、负两极板A、B间的电势差为 电容量与电介质的放置次序无关。此结果可以推广到两极板间有任意多层电介质的情况（每一层的厚度可以不同，但其相互叠合的两表面必须都和电容器两极板的表面相平行）。 [例]　一高压电器设备中用一块均匀的陶瓷片绝缘(εr=6.5) ，其击穿场强为107V/m，已知高压电在陶瓷片外空气中激发均匀电场，其场强 E1与陶瓷面法线成θ1=30°角，大小为E1=2.0× 104V/m 。求（1）陶瓷中的电位移 D2 和场强 E2 的大小和方向;（2）陶瓷表面上极化电荷的面密度。 解: （1）设陶瓷内电位移矢量的方向与法线成θ2角，则有 n ?1 ?2 D1=?1E1 D2=?2E2 陶瓷?2 空气?1 由边界条件 可知 （2）极化电荷的面密度为 m V m V D E / 10 03× . 1 / 10 85× . 8 5× . 6 10 95× . 5 4 12 7 2 2 2 = = = - - e 小于击穿场强，所以陶瓷不会被击穿。 10.5 任意带电系统的能量 10.5.1 带电体系的静电能 (1) 点电荷系统的能量 a b r 。 q2 。 q1 先将q1从无穷远移到a点， 改变顺序 再把q2从无穷远移到b点， 外力做功和迁移电荷的先后次序无关，据功能原理，该功就是这两点电荷所组成的带电系统所具有的相互作用能的量度，即 (10-17) a b c Ui 为除qi 外,其余点电荷在qi 处产生的电势。 (10-18) (10-19) (10-20a) (10-20b) (10-20c) + dq q 10.5.2 静电场的能量 任意 t 时刻两极板的电量分别为 ，两极板间的电势差为 ，此时再移 dq从负极板到正极板，外力作的功为 : 其中 (10-21c) (10-21b) (10-21a) 用场量表示能量 由 所以能量密度： 一般情况下总电能表述为： 上式适用于任何电场。 [例] 求均匀带电球体的静电能。设球的半径为R，带电量为Q，球外是真空。 [解法一] { 由电场分布 o R Q 所以 r dr 再聚集 一层电荷dq，需做功dA外=U外dq。 所以 [解法二] 球体可看成是由一层层电荷逐渐聚集而成。设某一层内已聚集电荷 ，其中 ，则 。 则有 * 导体的感应带电 第十章 导体和电介质中的静电场 10.1 静电场中的导体 10.1.1 导体在的静电场中的平衡条件 静电平衡状态:导体内没有电荷作定向运动的状态。 导体内部场强 处处为零,即 E内= 0。 推论： 1. 若导体处在静电平衡状态，则导体的内部和表面上的任何一点必须同电势。 2. 在导体外，靠近导体表面的电场强度垂直于该导体表面。 3. 在带电导体中，未被抵消的净电荷只能分布在导体的外表面上。 10.1.2 面电荷与导体表面附近的场强 上的电量为 围绕 做一扁圆柱面（高斯面） （10-1） 尖端放电 10.1.3 导体空腔 导体空腔 导体不接地 导体接地 空腔内外都有带电体的情形 [例] 两块面积均为S的很大的导体平板，平行放置，分别带电QA、QB，求两导体板各表面的电荷分布。 解： M点： (1) N点： (2) 3 σ QB QA X N M . . σ σ 4 σ 2 1 (3) (4) (1)(2)(3)(