版图设计-集成电路.pptVIP

版图设计 版图设计步骤 确定工艺方案 确定工艺路线和条件 确定版次 确定设计规则 设计版图 确定工艺方案 根据设计的电路要求： 晶体管的频率 击穿电压 电阻精度 确定采用什么工艺 注：这是确定纵向尺寸 确定工艺路线和条件 针对工艺方案确定 工艺路线 工艺条件 几种工艺路线 线宽 工艺 最大电压/阈值电压 工艺类型 1、 5μm 双极 36V 线性 2、 5μm 双极 20V 线性＋纵向PNP管 3、 5μm 双极 10V 线性＋ 数字电路 4、 3μm 互补双极 15V 线性＋数字电路 几种工艺路线 5、 5μm 硅栅CMOS 20V N：VT＝1.2V- 1.4V P：VT＝－1.2V-1.4V 6、 8μm 铝栅CMOS 20V N：VT＝1.2V-1.4V P：VT＝－1.2V -1.4V 7、 3μm CBICMOS 20V N：VT＝0.8V SP/DM P：VT＝－1V 5μm双极工艺(36V) 工艺特点： ·对通隔离； ·集电极穿透扩散； ·纵向NPN管； ·横向PNP管； ·结深： 基区结深为2.3μm； 发射区结深为1.5μm； ·二氧化硅薄膜的相对介电常数为3.9 ·单层金属：AL＋1％Si;厚度为1μm； 5μm双极工艺(20V) 工艺特点： 对通隔离； 集电极穿透扩散； 纵向NPN管； 纵向PNP管； 结深： 基区结深为1.5μm； 发射区结深为1.0μm； 二氧化硅薄膜的相对介电常数为3.9 双层金属：第一层金属，AL＋1％Si;厚度为1μm；第二层金属，纯铝，厚度为2μm； 3μm双极工艺 工艺特点： 对通隔离； 集电极穿透扩散； 纵向NPN管； 纵向PNP管； 结深： 基区结深为0.4μm； 发射区结深为0.2μm； 二氧化硅薄膜的相对介电常数为3.9 双层金属：第一层金属，AL＋1％Si;厚度为1μm；第二层金属，纯铝，厚度为2μm。 5μm硅栅CMOS工艺 工艺特点： P－阱； 5μm硅栅自对准； 单层多晶硅； 双层金属布线； 一共12次光刻； 适合一般目的的数字和模拟CMOS 集成电路制造。 8μm铝栅CMOS工艺 工艺特点： P－阱； 双层金属布线； 一共11次光刻； 适合一般目的的数字和模拟CMOS 集成电路制造。 5μm双极工艺设计规则(36v) 隔离最小间距 10um 低硼区到隔离的距离 25um 磷扩散区到隔离的距离 25um 穿透区到隔离的距离 30um 磷扩散区到低硼的距离 15um 穿透区