半导体物理学 - 5.pptVIP

正偏条件下的 PN 结特性Character of PN Junction under Forward Bias PN 结的肖克莱定律 The Shockley Law of Junction 准费米能级或电化学势 Quasi Fermi Levels or Electrochemical Potentials 理想结的伏–安特性Current–Voltage Characteristic of the Ideal Junction 反偏条件下的 PN 结特性Character of PN Junction under Reverse Bias 反偏 PN 结的击穿现象Breakdown Phenomena in Reverse Biased Junction 改善 PN 结击穿的方法Methods to improve Junction Breakdown 对硅来说， EG ＝ 1.12eV， UB ＜ 4.5V 为隧道击穿， UB ＞ 6.7V 为雪崩击穿。 正温度系数 负温度系数 温度系数 4.0 4×1017 1×1017 2.7 2×1023 1×1018 Ge 6.7 1×1023 3×1017 4.5 5×1023 6×1017 Si UB (V) 缓变结 N(cm -3) 突变结 N(cm -3) UB (V) 缓变结 N(cm -3) 突变结 N(cm -3) 雪 崩 击 穿 齐 纳 击 穿 材 料 隧道击穿与雪崩击穿的比较 电流流过 pn 结，结将发热，结温升高，特别是反偏结，结温升高使反向电流大大增加，从而进一步使结温上升，若无良好散热条件，将导致结烧毁，此即热击穿。 I ∝ U 1/2 (a) (b) (c) T1 T2 T2 T1 ?nU 0 ?nI 图中曲线 (a) 是按肖克莱方程给出的表示。 高反偏电压时，由于雪崩效应，曲线开始弯曲，通过结的电流将随电压迅速增加； 曲线 (b) 表示耗尽层内漏电流的贡献，由于耗尽层的宽度随电压以 U 1/2 或 U 1/3 关系增长，所以对数坐标中，总电流在雪崩击穿点之前呈直线； 曲线 (c) 表示漏电流随温度的增长。 耗尽层中电场非常高，自由电子和空穴在一个平均自由程中可能获取足够能量再次碰撞产生电子 - 空穴对。如果耗尽层宽度足够，上述过程重复发生，从而导致载流子雪崩，PN 结进入击穿。 如εop 为光学声子在碰撞过程中相关的能量，?op 为光学声子散射的平均自由程，E 为电场强度，不考虑碰撞过程相关的复杂性电子获取能量后的有效温度可表为 室温下，?op 以 100 ? 计，电场为 2×10 5 V/cm ， 电子获取能量约 2.1eV， 远大于硅的能隙， 足可产生二次电子 – 空穴对，进入雪崩。 上述粗糙计算表明，一旦 PN 结空间电荷区的电场达到 10 5 V/cm 量级，硅反偏 PN 结就可能发生雪崩。 雪崩速率可以通过电离率（Ionization Rate），即每单位行程中发生载流子电离的数目来定量检测。 电子和空穴的电离率曲线 10 2 10 3 10 4 10 5 cm -1 αn αp 1 2 3 4 5 6 ×10 -6 通常，更感兴趣的是电子和空穴穿越耗尽区时发生倍增的情况，即所谓倍增因子。假定电子和空穴电离率之比αn / αp 等于常数γ，且 那么，PN 结耗尽层厚度为 W，耗尽区内电场恒定不变时，倍增因子 M 可写为 PN 结的击穿电压在倍增因子趋于无穷大时为 由于分母不随 W 迅速变化所以击穿电压基本上与耗尽区的厚度成正比。 请注意以下两点： 第一，平衡载流子分布相对 ni 对称，这是因为根据质量作用定律， pn = ni2 之故； 第二，由于电势分布在线性坐标中呈对数分布，故载流子在半对数坐标中呈线性分布。 通过边界的少数载流子电子扩散进入 P 区。边界处电场为零，故电流仅含扩散分量，且大大超过空穴电流，于是，总电流可写为： 由于过剩载流子 故 得 根据连续性-输运方程几种特解中第二种情况的讨论我们有 代入 J 的表达式，得 利用布尔兹曼关系不难求出 n(0)，故 注意到上述理想单边突变结伏 – 安关系的推导过程采用了如下四个重要概念 ① 扩散输运方程； ② 少数载流子分布和边界处的梯度； ③ 过剩载流子的定义； ④ 肖克莱 PN 结定律 。 实际 PN 结还应该考虑左侧 N 区边界上空穴扩散造成的空穴电流，应用类似推导，可得空穴电流： 流经结的总电流