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第四章 半导体的导电性 4.1载流子的漂移运动和迁移率 4.1.2漂移速度和迁移率 4.1.3半导体的电导率和迁移率 在电场强度不是很大的 情况下 4.2载流子的散射 4.2.1载流子散射的概念 热运动：无规则的、杂乱无章的运动 载流子散射：载流子在半导体中运动时，不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生碰撞。用波的概念，即电子波在半导体中传播时遭到了散射 平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程 平均自由时间：连续两次散射间的平均时间 有外电场作用时 载流子受到电场力的作用作定向运动 载流子不断遭到散射，使运动方向改变 4.2.2半导体的主要散射机构 散射的原因：附加势场的存在 1.电离杂质散射 2.晶格振动散射 （1）声学波和光学波 格波：晶体中原子的一种集体运动形式 格波波数矢量取决于晶体原胞中的原子数，每个原子对应一个q具有3个格波。频率低的为声学波，频率高的是光学波。无论声学波还是光学波均为一纵（振动与波传播方向相同）两横（振动与波传播方向垂直）。在长波范围内，声学波的频率与波数成正比，光学波的频率近似是一个常数。 格波的能量 格波能量每增加或减少 ，称作吸收或释放一个声子。 根据玻耳兹曼统计理论，温度为T时，频率为υa的格波的平均能量 平均声子数 电子与声子的碰撞遵循两大守恒法则 准动量守恒 能量守恒 一般而言，长声学波散射前后电子的能量基本不变，为弹性散射。光学波散射前后电子的能量变化较大，为非弹性散射。 （2）声学波散射 在长声学波中，纵波对散射其主要作用，通过体变产生附加势场。 疏处禁带宽度减小，密处禁带宽度增大 单一极值，球形等能面的半导体 ，其中u纵弹性波波速 (3)光学波散射 正负离子的振动位移产生附加势场 离子晶体中光学波对载流子的散射几率 光学波散射在低温时不起什么作用 4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.3.1平均自由时间与散射几率的关系 在 被散射的电子数 上式的解为 其中N0为t=0时刻未遭散射的电子数 4.3.2电导率、迁移率与平均自由时间的关系 t=0时刻遭到散射，经过t后再次被散射 多次散射后，在x方向上的分量为0 根据迁移率的定义 得到电子迁移率 空穴迁移率 各种不同类型材料的电导率 n型： p型： 混合型： 对于等能面为旋转椭球面的多极值半导体 令 所以 mc称为电导有效质量，对于硅mc = 0.26m0 由于电子电导有效质量小于空穴电导有效质量，所以电子迁移率大于空穴迁移率。 4.2.3迁移率与杂质和温度的关系 平均自由时间与温度的关系 电离杂质散射： 声学波散射： 光学波散射： 迁移率与温度的关系 电离杂质散射： 声学波散射： 光学波散射： 定性分析迁移率随杂质浓度和温度的关系 杂质浓度较低， 略去，晶格散射起主要作用 温度升高，迁移率降低 杂质浓度很高时， 温度较低， 增大，电离杂质散射起主要作用，迁移率随温度升高而增大 温度继续升高， 降低，晶格散射为主，迁移率下降 4.4电阻率与杂质浓度和温度的关系 轻掺杂时, ND＜1017/cm3，no≈ND，μ≈μs 重掺杂, ND＞1017/cm3， no=nD+≠ND，μ≠μs 4.4.2电阻率随温度的变化 杂质半导体 4.4.1电阻率和杂质浓度的关系 杂质浓度越高，电阻率越小 曲线严重偏离直线 * * 内 容 1. 载流子的漂移运动、迁移率 2 .载流子的散射 3. 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4. 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 5. 玻耳兹曼方程、电导率的统计理论(略) 6.电场强度与漂移速度、迁移率的关系 强电场下的效应(略) 4.1.1欧姆定律 非均匀导体电流密度 欧姆定律微分形式 均匀导体 漂移运动：电子在电场力作用下的运动 漂移速度：定向运动的速度 对 n 型半导体： 对 p 型半导体 ： 在饱和电离区： n 型，单一杂质： no=ND 补偿型：no=ND－NA 本征： 补偿型：po=NA－ND P 型，单一杂质：po=NA 膨胀状态-- 原子间距增大 压缩状态— 原子间距减小 纵声学波示意图 A B Ec Ev 导带 禁带 价带 Eg 离子晶体 + + + - + + + + - - + + + - - - + - - - - + - - - + +