基础理论与文献回顾.PDF

第二章 基礎理論與文獻回顧 2.1 奈米碳管的結構 碳 (carbon)在週期表 4A族原子序為 6 ，自然界的存在形式從零維結 構的C60 ，一維結構的奈米碳管、二維結構的石墨(graphite) 、三維結構 的鑽石 (diamond) ，如圖2.1所示為基礎架構。 奈米碳管在 1991 年由日本NEC實驗室之飯島澄男 (Sumio Iijima)在 製造C的過程中意外發現 [2] 。其結構主要是捲成圓形的石墨層，內徑 60 可從 0.4nm至數十nm ，外徑則約由1nm到數百nm ，長度則由數μm至數 十μm間，而由單一和多層石墨層捲曲而成的碳管則分別稱為單壁 (single-wall)和多壁 (multi-wall)奈米碳管；隨著檢測技術的發展，讓人 們有機會可以對奈米碳管的結構，透過相關資料擷取有更深入的了解。 除此之外單壁奈米碳管依據石墨層的寬度與捲曲的方向而異；不 同的捲曲方向碳管表現出金屬、半金屬、半導體等不同特性，依石墨 層捲曲方向的不同，可將奈米碳管的形態大致區分為三類： (1)armchair 、(2)chiral 、(3)zigzag ，如圖2.2[8] 。接著可以利用二維石墨 平面向量n 和 m表示[9] ，如圖2.3 ，n=m時為扶椅狀 (armchair) ；n=0或 m=0為鋸齒狀(zigzag) ；其他任何之n與m皆為不對稱狀 (chiral) ，因不同 捲曲方式所造成的碳管螺旋性，會使管壁上的六圓環有不同的扭曲程 度，進而造成六圓環上未飽和雙鍵間電子傳導的阻力，因此不同的螺 3 旋性造成奈米碳管間導電性質的差異；全由碳原子所組成的奈米碳管 只因結晶結構細微的差異便有導體與半導體之不同，也由於這樣的特 性，在線寬要求越來越小的半導體工業裡，奈米碳管同樣受到矚目。 2.2 奈米碳管的性質 2.2.1 場發射特性 所謂場發射 (field emission)即是在高電場作用下，導體表面的有效 能障降低，障壁變薄，使得電子易於穿隧能障，而從導體表面放出電 子。由於奈米碳管的長度遠比直徑大且具極小的尖端曲率，依尖端放 電的理論，只要在奈米碳管上施予極小之電壓，就可以將電子由尖端 激發出去，造就了奈米碳管優異的場發射性質，由 W. A. de Heer所做 之實驗得知[10] ，奈米碳管在10V/μm 電場下即可有 0.1mA/cm2 之電流 密度，將此一特性在平面顯示器上，不但可以縮小顯示器之體積，更 可減少耗電量，因此奈米碳管被視為相當具有潛力之下一代場發顯示 器材料。 4 2.2.2 機械性質 機械特性方面，由奈米碳管結構來看，其六圓環是由自然界 中最穩定由碳 碳共價鍵所構成，因此奈米碳管擁有極佳之力學性質，- 經科學家的模擬，奈米碳管的強度是一般用鋼的5倍 [11] ，受到極大應 力時也不會產生塑性變形或毀損。由於奈米碳管尺度極微小，實驗時 要將其固定、力量量測與變形過程的觀察都非常困難，因此許多材料 機械性質量測所得數據差異甚大，且使用的假設條件、計算方程式及 實驗方式仍有改善空間。 另外奈米碳管強度高、柔軔性 好、質量輕的機械性質，也使它廣 為被應用在複合材料之上，希望能取代目前常見的碳纖維與其它複合 材料，目前已有科學家將奈米碳管與高分子、金屬或陶磁材料混合製 成多種新型複合材料[12] ，未來這些材料將可被廣泛應用於航太、汽 車、國防工業上。 2.2.3 導電性 碳奈米管具有獨特之電性，主要是因為奈米碳管內流動的電子受 到量子限域(quantum confinement )所致，因電子在奈米碳管中其傳輸速 度變的非常的快，達到所謂的彈道傳輸 (ballistic transport) ，並可承受很 大的電流強度，不同於一般金屬導線在太強的電流密度下會發生電致 遷移 (electro-migration) 。另外碳管可以由不同的石墨層捲曲方式得到不 5 同之導電性質，如金屬或半導體之性質 [13] ，因此可藉由控制奈米碳管 的石墨結構來控制其導電性，此特性可望被應用在日漸變