MOS晶体管-集成电路.pptVIP

张正元 一、结型场效应管特性 二、MOS晶体管特性 三、薄膜电阻特性 结型场效应晶体管特性 结型场效应晶体管特性 结型场效应晶体管特性 结型场效应晶体管特性 结型场效应晶体管特性 结型场效应晶体管特性 结型场效应晶体管特性 结型场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 MOS场效应晶体管特性 五、双极与场效应晶体管对比 双极与场效应晶体管对比 薄膜电阻特性对比 作业 请比较JFET与MOS管之间的特点与差异？ 提高MOS管的开关速度有那些方法？ 请解释一下MOS管的短沟道效应，并提出抑制短沟道效应的方法。 提高MOS管耐压的方法有那些？ MOS管与双极晶体管之间的的特点有那些？ 低 高 频率 易受静电影响 受静电影响小 静电影响 适宜大规模和超大规模集成 不易大规模集成，实用于模拟集成电路 集成工艺 几兆欧姆以上 几十到几千欧姆 输入电阻 较小，可有零温度系数点 受温度影响较大 温度特性 较小 较大 噪声 场效应三极管 双极型三极管 ± 10% ±20%以内 控制精度 5E-6W/μm2 5E-6W/μm2 最大攻耗 小，大约100PPm 大，大约2000PPm 温度系数 CrSi电阻 NiCr电阻 硼扩散电阻 磷扩散电阻 夹断电阻 埋层电阻 注入电阻 --- 结构 金属薄膜电阻 扩散电阻 * 集成电路及微机械加工技术 -----半导体集成电路器件基础 (MOS部分） 目　录 结型场效应晶体管的结构 JFET的结构是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极 结型场效应晶体管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构，因它没 有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对 于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理 栅源电压对沟道的控制作用 当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏、源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。当VGS＜0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏、源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS(off) 漏源电压对沟道的控制作用 在栅极加上电压，且VGS＞VGS(off)，若漏源电压VDS从零开始增加，则VGD=VGS-VDS将随之减小。使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形 当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VGS(off)时，在紧靠漏极处出现预夹断，当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。 漏源电压对沟道的控制作用 结型场效应晶体管输出特性曲线 (a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 栅源电压VGS的控制作用 当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能以形成漏极电流ID 栅源电压VGS的控制作用 进一步增加VGS，当VGS＞VGS(th)时（ VGS(th) 称为开启电压)，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层 随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管 漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 当VGS＞VGS(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。VDS的不同变化对沟道的影响可以有如下关系 VDS=VDG＋VGS =－VGD＋VGS VGD=VGS－VDS 漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 当VDS增加到VGS-VT时。这相当于VDS增