类氢硅离子软X射线谱的计算.pdfVIP

第 卷 第 期 原 子 与 分 子 物 理 学 报 ， 17 3 Vol.17 № .3 年 月 ， 2000 7 CHINESEJOURNALOFATOMICANDMOLECULARPHYSICS Jul. 2000 ·研究简讯· 文章编号： （ ） 1000-0364200003-0529-04 类氢硅离子软 X射线谱的计算✷ 张国营，张学龙 （中国矿业大学数学力学系，徐州 ） 221008 摘要 ：利用高剥离态类氢离子的势函数模型，计算了类氢 离子的软 射线谱及其精细结构， Si X 计算结果与实验值进行了比较。 关键词：类氢硅离子；势函数模型；软 X射线；精细结构 中图分类号： 文献标识码 ： O434.13 A 1 引言 近年来，随着越来越多的小型加速器逐步从核物理转向原子物理的研究，基于加速器的 ［］ 高剥离态原子光谱学成了一个十分活跃的领域 1 。从该领域获得的原子数据，对软 X射线 ［］ 激光、等离子体物理、天体物理等领域有着重要的应用前景 2 。 高剥离态的类 H离子，由于电子近核区域运动的几率较大，相对论效应、有限核效应、 量子电动力学（ ）效应等都很强，用初等量子力学得到的类氢离子的能级公式不适合高 QED 剥离态情况的计算。而用相对论 自洽场方法计算时，过程复杂，一些未知的相互作用机制不 能包含进来，且计算结果有限。在实验中，常常是几种或多种离子混在一起，谱线难以辨认。 因此，寻找一种简单有效的计算高剥离态原子谱线波长的方法十分迫切。 文献［，］在考虑了离子电离度效应后，提出了高剥离态类氢离子的新势函数模型，在 34 该模型中，把电子的相对论效应、有限核效应、 效应以及未知作用归咎为电离度效应， QED 并依此计算了类 H离子的电离能，与实验值的偏差小于 0.01%，有关的光谱计算也与实验 值符合较好。本文在此基础上，考虑电子的自旋轨道相互作用，对类 H硅离子的精细结构 能级及光谱进行了计算，结果与实验值吻合较好。 2 基本理论 按照文献［］，高剥离态类 离子的势函数 （ ）为 4 H u r ✷ 收稿 日期 ： 1999-06-28 基金项目：中国矿业大学科学基金项 目，（ ） OK9056 作者简介：张国营（ ），男，河南温县人，中国矿业大学教学力学系副教授，主要从事原子光谱研究。 1957- 原 子 与 分 子 物 理 学 报 年 530 2000