反及闸快闪记忆体nandflashmemory简介.pdfVIP

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反及闸快闪记忆体nandflashmemory简介

反及閘快閃記憶體 (NAND Flash Memory )簡介 華冠通訊股份有限公司 Arimacomm Inc. 課程概要  快閃記憶體 (Flash Memory )發展史  快閃記憶體的種類 (NOR Flash and NAND Flash ) 反及閘 (NAND )快閃記憶體特性  小區塊 (Small Block )與大區塊 (Large Block )反及閘快閃記憶體 介紹 單位階儲存單元 (SLC :Single Level Cell )與多位階儲存單元 (MLC :Multi Level Cell ) 壞區塊管理 (Bad Block Management )與錯誤更正 (ECC )  加速反及閘 (NAND )快閃記憶體 尋找快閃記憶體接班人 (下一代非揮發性記憶體 ) 反及閘 (NAND )快閃記憶體的發展趨勢與應用  參考文件 附註資料 非揮發性記憶體 (Non-Volatile Memory ) 在眾多記憶體類型當中 ,依照切斷電源後資料的存續性來劃分 ,大致可區分 為兩大類 ,包括揮發性記憶體 (Volatile Memory )與非揮發性記憶體 (Non- Volatile Memory )。前者顧名思義當系統電源一旦切斷後 ,原先儲存在記憶體 中的資料將會流失 ,後者則是系統電源切斷後仍能保持其內含的資料 。 Volatile Memory Non-Volatile Memory 1. SRAM 1. OTP ROM 2. DRAM (EDO DRAM 、SDRAM 、DDR 2. ROM SDRAM 、DDR2 SDRAM 、QDR SDRAM ) 3. PROM 4. EPROM 5. EEPROM 6. Flash Memory (Flash EEPROM ) MOSFET IGT (Insulation Gate Transistor ) 0V V V GS T 0V Gate VDD 0V Gate VDD SiO2 SiO2 - - - - Source (n) × Drain (n) Source (n) Drain (n) IDS IDS Si Substrate (p) Si Substrate (p) 電子被吸附於閘極 (Gate )下 方 ,形成 N 型通道 ,電流得以 流通 ! 浮動閘 (Floating Gate )寫入原理 Program Floating

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