ald淀积高k栅介质材料与器件特性分析word格式论文.docx

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优秀毕业论文 精品参考文献资料 学位论文独创性声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说 明并表示了谢意。 申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切的法律责任。 本人签名: 日期 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究 生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保 留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内 容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证,毕业后 结合学位论文研究课题再攥写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。(保密的 论文在解密后遵守此规定) 本学位论文属于保密,在 年解密后适用本授权书。 本人签名: 日期 导师签名: 日期 ALD 淀积高 k 栅介质材料与器件特性研究 摘 要 ii i 摘 要 随着大规模集成电路 VLSI (Very Large Scale Integrated circuits)技术的迅猛发 展,半导体器件的特征尺寸遵循着摩尔定律不断地减小,在进入到 45nm 工艺节点 下,MOS 晶体管的栅氧化层的等效厚度降低到了 1nm 左右,如果仍采用常规的 SiO2 栅介质,将带来不可接受的栅漏电流,并引起可靠性下降等严重问题,这给 集成电路的的进一步发展带来了巨大的阻碍,意味着传统的 SiO2 作为器件的栅介 质已经达到了物理极限。解决这个问题的唯一办法是用具有较高介电常数的电介 质材料取代 SiO2 用作栅介质层。高 k 栅介质可以在保持等效厚度不变的条件下增 加栅介质层的物理厚度,可以大大减小直接隧穿效应和栅介质层承受的电场强度。 本文对高 k 栅介质材料与器件进行了系统地研究,取得的主要研究成果如下: 1. 对 ALD 生长工艺进行了研究。通过实验得出了生长温度、pluse time、purge time 和氧化剂对使用 ALD 设备生长高 k 栅介质材料的影响。结果表明,只有当循 环数大于某一数值后,生长速率才基本保持稳定。不同工艺参数和氧化剂对使用 ALD 设备生长的栅介质材料影响较大,主要体现在杂质含量、高温特性、原子化 学计量比和平带电压表现出了较大的差异。在 HfO2 和 SiO2 界面采用 Al 预处理技 术进行平带电压调整,进而达到阈值电压调节的目的,实验证明,Al 预处理技术 可以对高 k 栅器件的阈值电压进行有效地调节。 2. 通过对椭偏测试结果进行转换和分析,得到了高 k 介质的禁带宽度。受量 子限域效应的影响,介质的禁带宽度与厚度成反比关系,并且随着厚度的增加, 禁带宽度趋于稳定;退火后介质的禁带宽度会略微增大。与 H2O 生长的 HfO2 相比, O3 作为氧源生长的 HfO2 的禁带宽度要略小,但是生长温度对 O3 作为氧源生长的 HfO2 的禁带宽度有较大影响。由于高 k 栅结构价带差和导带差的重要性,利用 XPS 谱图,结合价带谱以及椭偏对不同厚度 HfO2 禁带宽度的测量结果,对不同厚度 HfO2 的导带差和价带差进行了计算,得到了精确的 HfO2-Si 体系的能带结构。 3. 采用 ALD 淀积工艺生长了高 k 栅介质薄膜,制备了相应的高 k 栅介质器件, 对高 k 栅器件的 I-V 漏电机制进行了研究和分析。研究了 ALD 淀积工艺生长的高 k 栅 MOS 器件中的频率色散效应。根据样品的测量结果发现,高频条件下积累区 电容出现了频率色散现象。针对双频 C-V 法测量高 k 栅 MOS 电容中制备工艺和测 量设备引入的寄生效应,给出了改进的等效电路模型,消除了频率色散效应。 4. 分析了不同退火温度和电应力对 HfO2 高 k 栅介质应变 Si 和应变 SiGe MOS 器件的特性的影响。对比了同样栅氧层厚度的 HfO2 Si、HfO2 应变 Si、应变 SiGe 以及 HfO2 MOS 器件的栅电流,受氧化层势垒高度和界面态密度的影响,HfO2 应 变 Si MOS 器件中的栅漏电流最小,而 HfO2 应变 SiGe MOS 器件中的栅漏电流最 大。分析了电应力对 HfO2 应变 SiGe 和 HfO2 应变 Si MOS 器件栅极 I-V 特性的影 响,发现正压应力会使得 HfO2 应变器件的栅漏电流减小, 而负压应力对器件栅极 特性影响不大。 5. 通过结合主要的散射

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