直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’% ( #( ( ， ， ， GK; ,’% )K ,( X=;O #( （ ） !0$#6F#(F’% ( F7!!$07 S*TS UVWIJ*S IJ)J*S !#( *Y:- , UYO? , IKC , 直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究! ） ） ） ! ! # 徐 进 李福龙 杨德仁 !）（厦门大学化学化工学院材料科学与工程系，厦门 $%!’ ） # ）（浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 $!#( ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #% !! ! #% !# !’ 利用透射电镜对掺氮（ ）和普通 （ ）直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究 研究表明，在 样品中，有 )*+ *+ , )*+ 高密度的粒径为 的氧沉淀生成，而在 样品中，没有观察到这种氧沉淀 初步认为，这种细小的氧沉淀是以 ’ -. *+ , %’/低温下形成的)01 复合体为核心在随后的冷却过程中形成, 关键词：直拉硅，透射电镜，氧沉淀 ： ， ， !## (#2* %!!%3 2!$4 因此，目前掺氮工艺得到了越来越多的关注, !D 引 言 研究表明，在 )*+ 的生长过程中，通过氮原子与空 位结合，形成) 0G 复合体，消耗一部分空位，从而 # # 氧是直拉硅单晶中最重要的杂质，它是在单晶 降低晶体硅样品中的空位浓度, 根据GKNK-QKR 的理 ［］ 拉制过程中，熔融硅与石英坩埚相互作用而引入的, 论2 ，空位浓度的降低会导致更高密度、小尺寸的 一般认为，在硅的熔融温度（ ）时，引入间隙氧 !7!7 / GK:B 缺陷的生成，这些小尺寸的GK:B 缺陷在随后的 ［］ !2 $ ! ［］ 原子的平衡浓度约为# D(’ E ! F C. , 在晶体生 热处理工艺过程中更容易被消除