微互连技术 2.pptVIP

微互连综述 微互连的应用实例 光电子封装-Optoelectronics 微互连的定义及特点 定义： 当被连接的材料尺寸非常微细时，在传统焊接方法中可忽略的因素可能对连接过程和质量起到关键的作用，为适应这些作用的影响而设计的新的连接方法。 要求的特殊性 ?电性能优先，可靠性 结构的特殊性 从力学的角度可能不合理 材料的特殊性 薄膜、厚膜、丝、球、箔、复合结构 过程的特殊性 极短的时间、瞬态 微互连的重要性 Interconnection —机械和电气连接 互连成为器件结构的一部分，决定器件的性能和可靠性 造成失效的主要原因(60～80%) 微电子制造中的连接技术 芯片上器件之间的互连 薄膜 芯片与载体之间的连接 钎焊、共晶钎焊、导电胶 芯片与芯片之间的互连 钎焊、超声焊接、热压焊 芯片上引脚与引线框架或载体之间的互连 丝焊、钎焊、热压焊、激光焊、电阻焊 外壳密封 激光焊接、扩散焊、钎焊、电阻焊 器件与印制电路板之间的连接 钎焊、导电胶、电阻焊 主要内容： 1.1 引言 随着集成电路技术的发展，特征尺寸的缩小，封装密度和工作频率的不断提高，芯片上互连线的截面积和线间距持续下降。增加的互连线电阻R和寄生电容C使互连线的时间常数RC大幅度的提高。这时，互连线的时间常数RC在集成电路系统延迟中所占的比例越来越大，成为限制互连速度的主要因素。 理想的互连材料应该具有延迟时间短、工作频带宽、损耗小、制造成本低等特点。目前已有大量的研究工作致力于互连技术的研究，如采用低电阻率的金属(Cu及其台金)代替传统的Al，开发研制低介电常数(k)材料用作互连介质代替传统的SiO2等，这些措施都大大提高集成电路中的互连性能 ，缩小其特征尺寸。但是，当集成电路的工作频率迅速提高至几GHz甚至更高时，基于目前的传统金属互连将无法满足传输的要求。这就需要我们突破传统的互连方法引入新的金属互连方法。 目前常用的导体材料 1.2 第一代互连技术 第一代互连技术是以铝金属互连技术为代表 Al连线的优势 1.3 第二代互连技术 第二代互连技术以铜互连技术为代表。 1997年9月，IBM和MOTOROLA公司相继宣布成功开发了以Cu代Al制造IC的新技术，即用电镀的方法把Cu沉积到硅圆片上预先腐蚀的沟槽里，然后用化学机械抛光（CMP）使之平坦化，并于1998年两公司先后生产出铜布线的商用高速PC芯片。 Cu互连引线图形加工工艺 Cu互连技术的优点 1.4 新一代的金属互连技术 集成电路技术的进一步发展必然对互连性能提出更高的要求，不仅要求材料方面的进一步改进，继续挖掘性能优异的导电材料，还要求在互连的结构和设计方面进行革新 。这些要求将加快互连技术的发展速度，使得各种新型互连技术趋于成熟，取代目前Cu互连技术的主导地位。 电互连发展 的瓶颈问题 光互连技术 1984年Goodman等人提出集成电路光互连----通过光信号传输, 把光源、互连通道、接受器等组成部分连成一体, 彼此间交换信息。 目前光互连已经成为解决电互连问题的关键技术,在国外(美国、日本、欧洲)和国内(华中科大、天津大学等高校和研究所)领域研究的热点。 欧洲OLIVES计划的目标是在模块、底板、多芯片模块、芯片层次上实现相应的光互连演示系统。日本主要在开发光底板、线路板和先进处理机系统芯片内部的光互连方面做了许多工作，并对基础性器件的制作技术以及对应用系统的研究日益增强。 采用光互连 的原因 光互连主要的形式： 1.光纤互连 1)是用硅晶片板作为工作平台，上面采用混合集成方式实现单模光纤互连； 2)是采用板上光纤技术(Fiber-in-board)制作多通道模块，用于实现高速并 行互连。 2.波导互连 1)波导结构与设计　 目前普遍采用是EIM（有效折射率法）、BPM（光束传输法）和Eigenmode（本征模法）等。此外十分关注的话题是光电子器件与光波导单片集成的设 计方法。 2)波导光互连技术　 聚合物波导研究，最近提出一种真空干燥法，用于产生有效的导波折射率 剖面。最近I．R．Johnston等人描述了一种制作硅基光波导结构的工艺过程，这种结构适合于在光互连中应用。 3.自由空间互连（ FSOI ） FSOI适合不在同一平面内处理器之间的互连，如线路板之间的连接。FSOI常采用的封装技术是光学和电子器件的多芯片混合封装。封装好的模块由光发射器（指激光器或调制器）、接收器（半导体探测器）、光束传递通道（如HOE）以及所需的电子器件组成。 1.导波光互连 (2)波导光互连 (1)全息光互连 2.3 芯片上光互连