晶体管五倍放大电路12.docVIP

五倍放大电路 电路设计规格 : 电压增益： 5倍 最大输出电压： 5VP-P 频率特性： 1KHZ 输入输出阻抗 ： 任意 一、求各部分的直流电位 图1 首先，在图1所示的电路中，基极的直流电位VB（为的直流部分），用R1 和R2对电源电压VCC进行分压后电位，所以流进晶体管的基极电流的直流成分IB是很小，可以忽略，则 （V） （1） 发射极的直流电位VE（为ue的直流部分），比VB低的基极发射极间的电压VBE，设VBE=0.6V。则 VE=VB - 0.6 （V） （2） 发射极上流动的直流部分IE（为的直流部分）为： （A） （3） 集电极的直流电压VC（为的直流部分）为电流电压减去RC的压降而算得的值，所以VC为： （V） （4） 基极电流为很小的值，所以可以忽略，则IC=IE。则有 （V） （5） 二、求交流电压放大倍数 在图1所示电路的交流放大倍数（交流增益） 由于晶体管的基极-发射极间存在的二极管是在导通情况下使用的（交流电阻为0），所以基极端子的交流电位（）直接地出现在发射极，因此由交流输入电压引起的的交流变化部分为： ? （6） 令集电极电流的交流变化部分为，则的交流变化部分为： （7） 认为集电极=发射极电流，则，所以 （8） 用C2将的直流成分截去，交流输出信号的本身： （9） 因此，该电路的交流电压放大倍数得 (10) 放大倍数与晶体管的直流电流放大系数hFE无关,而是由RC与RE之比来决定的(因为设计的时候认为基极电流为0,所以与hEF无关)。 三、确定电源电压 为了输出5VP-P的输出电压。显然必须要在5V以上的电源电压。为了人使集电极电流流动，由于发射极电阻RE上最低加上1~2V的电压，所以电源电压最低必须为6~7V（（5+1）~（5+2）V）。在这里选取15V电源电压： VCC=15V四、选择晶体管 如图2所示，用NPN晶体管组装的电路。 图2 用NPN型晶体管的共射放大电路 考虑晶体管的最大额定值，因为电源电压为15V，所以在集电极-基极和集电极-发射极间有可能最大加上15V电压。因此，选择集电-基极间电压VCBO与集电-发射极间电压VCEO的最大额定值为15V以上器件。 从满足前述最大额定值条件的器件中，在这里选择我们常用小信号晶体管S9013。在表1中，表示出S9013的特性。 表1 S9013的特性 S9013依直流电流放大系数hEF的大小分为O ~ BL四档。但从式（9）得，AV与hEF的大小无关。所以任一档hEF都没关系 五、确定RC和RE 如式（10）所示，电路的放大倍数是由RC与RE之比决定的，所以令=5 ， RC：RE=5：1 为了吸收基极-发射极间电压VBE随温度的变化，而使工作点（集电极电流）稳定，RE的直流压降必须在1V以上。这是因为VBE约为0.6V，它具有-2.5mV/oC的温度特性。在这里，取RE的压降为2V，因此IC=100mA（设IC=IE），则有 晶体管的集电极损耗PC为： 六、基极偏置电路设计 设发射极电阻RE的压降=发射极电位，为VE=2V。由于VBE=0.6V,所以基极电位VB必须是2.6V。 由于基极电位是由R1与R2对电源电压进行分压之后的电位，所以，如果设R2的压降为2.6V，R2的压降为12.4V(=15V-2.6V)。 另外，在晶体管的基极流动的基极电流为集电极电流的