肖特基二极管多层金属化.pdfVIP

第 9 卷第 5 期 　　　　　济南大学学报 V o l. 9 N o. 5 　1999 年 JOURNAL OF J INAN UN IVERSITY 　　1999 肖特基二极管多层金属化技术 孙卯秋 (济南市半导体研究所, 山东 济南 250013) 　　摘　要: 本文讨论了肖特基二极管多层金属的设计原则, 介绍了多层金属的制备方法、注 意问题及应用结果。 关键词: 肖特基二极管; 粘附层; 阻挡层; 导电层 1　引言 在一般的器件制造中, 如电流密度小, 结温较低的器件, 铝是单独作为电极的好材料。由于 肖特基二极管(SBD ) 为芯片面积较大的功率器件, 其电流密度较大, 结温较高。而在大电流 ( 5 2 ) ( ) 10 A cm 和结温较高 150℃以上 的情况下, 势垒金属有明显的迁移现象, 使电极金属、势 垒金属及 Si 之间相互扩散和反应, 从而改变二极管的性能。为了使它们之间的扩散反应降至 最低的限度, 必须在电极金属与势垒金属之间加上一层防止扩散的阻挡层叫作扩散势垒。为了 解决 SBD 的热疲劳问题以及焊料焊接时的熔蚀作用, 背面也采用多金属结构。 2　多层金属的性能及设计原则 对于 SBD 除了正面采用多层金属结构外, 背面常由多层金属组成, 且它们的金属由类似 或相同材料组成。在这种结构中它们分别称为 ( ) 粘附层、阻挡层 过滤层 和导电层如图 1。多层 金属材料应共同满足下列条件: ( 1) 有良好的导电性; (2) 易于淀积成薄 膜; (3) 易于刻蚀。 此外各层金属应由表 1 根据下面的原则来 设计。 图 1　芯片多层金属结构示意图 2 1　粘附层 它直接与 Si 或 SiO 2 接触, 要求与 Si 或 SiO 2 粘附良好, 性能稳定, 它本身不与上、下两层 金属形成高阻化合物, 还要求能阻挡导电层、过渡层与势垒金属形成高阻化合物, 并阻止导电 层过渡层与 Si 形成化合物。此外, 要求粘附层与 Si 形成良好的低阻欧姆接触, 其热膨胀系数 与 相近且与 的欧姆接触系数小。由表 1 可知与 或 2 粘附性良好的金属有 、 、 Si Si Si SiO A l C r 、 、 、 。等。但 与 的膨胀系数相差较大, 并且 在 中有较大的固熔度和较快的 T i V W M A l Si Si A l 扩散速率, 故A l 不适合作粘附层。 47 对 SBD 来说, 此层起到扩散势垒的作用, 它能阻挡各层金属之间以及金属与 Si 之间的相 互扩散和反应, 防止由此引起的 性能的变化, 因此, 应选择难熔金属 、 、 等比较合 SBD C r T i V 适, 要求此层比较厚一般 2000～ 3000 。 ( ) 2 2　阻挡层 过渡层 要求此层与上、下两层金属粘附良好, 性能稳定。此层用作焊料的阻挡层, 能抗焊料焊接时 的熔蚀作用, 通常选用抗铅锡熔蚀好的金属如 、 、 等。从表 1 可知 、 等材料的热膨 N i P t Pd