主要失效分析仪器与主要参数.pptVIP

失效分析用主要设备的作用和参数 形貌（显微形貌）观察设备 电参数测试设备 （包括一些电参数测试的辅助性设备） 化学成分和组成分析设备 其它专项检测设备 其它辅助性设备 声学显微镜(C－Mode Scanning Acoustic Microscope) 特点：C-SAM是一种反射式扫描声学显微镜，利用超声脉冲探测样品内部微观状态（无损检测）在C-SAM的图像中，与背景相比的衬度变化构成了重要的信息，在有空洞、裂缝、不良粘接和分层剥离的位置产生高的衬度，因而容易从背景中区分出来。 性能： 扫描声学显微镜频率范围为1～500MHz，空间分辨率可达0.1um，能完成超声波传输时间测量、纵向截面成象，X/Y二维成象和三维扫描与成象。 用途：电子元器件、材料及PCB/PCBA内部各种缺陷（如裂纹、分层、夹杂物和空洞等）。 扫描电子显微镜 特点：对样品的任何细微结构及其它表面特性放大进行观察和分析。缺点是样品处于真空环境下，在高电压下还需解决样品表面钝化层的荷电问题。 性能：分辨率高，可以达到1.5nm或更高；放大倍数从几倍到几十万倍，连续可调；便于跟踪寻找缺陷并建立微观形貌与宏观形貌之间的关系；景深大，有较强的立体感，适合观察断口等类型的粗糙表面。 用途：用于失效定位和缺陷分析；如观察芯片表面的缺陷、结构。配合X射线能谱仪，可同时进行成分分析。 聚焦离子束系统（FIB） 用途：在失效分析中主要用作线路修补和局部验证；主要有三个作用：1)剖面制作 2)电路连线 3)底层的探测通孔制作。 聚焦离子束的分辨率可以达到5nm，最小线宽度0.13um，能进行150mm以上圆片加工与分析；加速电压范围一般5～30KV。 X-Ray透视系统（FEINFOUS FXS-160.40） 特点和性能： 被测物体最大尺寸：610mm×460mm 扫面区域： 610mm×460mm 图像解析度：1um X-Ray管高压：0～160KV X-Ray管电流：0～1mA 最大几何放大倍率：636倍 观测方向与垂直方向倾斜角度：0～60 图像感应器水平面可旋转角度：0～360 被测物最大重量：5kg 用途： 样品内部结构、多余物；PCBA板焊点（焊接空洞、间距的测量）等的检查。 常规电参数测试设备 LCR参数分析仪 特点和性能： 工作频率：1～10MHz；可以设定的直流偏压：0～200V（外置）；交流电压0～1Vrms；电阻、电容和电感测试精度0.05％；损耗精度为0.0005。 用途：主要用于测试阻、容和感的容量、损耗、阻抗、电感、电阻、品质因素和导纳等。 漏电流测试仪 特点：施加一定的电压，测试（或监测）样品的漏电流状态。 性能：电压范围：0～650V；电流范围1uA～30mA；可以调整的时间1～99s。 用途：用于测试电容器（如电解电容器）的漏电流。 耐压测试仪 特点和性能：电压范围：0～10KV；可设定限流模式。可设定时间范围0～99s；漏电流最大设定值100mA。 用途：主要用于对样品（电容器、塑料）介质层耐压强度测试；整机的电绝缘性能测试。 全集成数字多路跟踪曲线分析仪（A2R4-324） 性能和特点：控制开关矩阵进行正确的连接，再加电源激励，通过测量单元对响应信号进行测量。电压范围：－15V~+15V；最大电流为1A；最大测量管脚数为324个； 用途：用于对集成电路的电参数测试；可以测试器件的端口特性、静态参数、闩锁测试和IDD。注意：需要夹具支持。 数字集成电路测试系统 特点和性能：最大管脚数：64pin； 可以提供功能测试、交流参数测试和直流参数测试；定时精度10ns；最高测试速度5MHz；主要测试方式包括合格/不合格方式（Pass/Fail）、数字记录方式（Data Log）。 用途：对各类（TTL、NMOS、CMOS）大、中、小规模数字集成电路进行动态功能、直流参数以及交流参数的测试。 晶体管图示仪 半导体参数测试分析仪器（4155） 微波分析设备（矢量网络分析仪、频谱分析仪、模拟信号源） 模拟信号源 作用：为被测件提供250kHz～20GHz频率范围的模拟信号 特点 频率范围：250kHz～20GHz 最大输出功率：＋20dBm 分辨率：所有扫描方式0.01Hz 外部基准频率：1，2，2.5，5，10MHz（在0.2ppm以内） 化学成分和组成分析设备 X射线能谱仪 特点：能谱仪除了分析速度快，可做定量计算外，还可以选择不同的方式进行分析，即可选点、线及区域进行分析，还可做不同元素的面分布图（mapping）。 性能：检测极限0.1％；可分析的元素范围从B5~U92，在Fe55的分辨率可达135eV，相对的检测灵敏度高达10E4数量级；可做定量分析。 用途：分析材料、污染物等的化学