SEC与CPT_17寸M组电气特性区别.ppt

SEC与CPT 17寸M组比较 ---------电气方面 1、PWB电路架构比较 2、HVS测试实现 3、电气特性量测 4、实验结论 5、附件－IC输出测试 * * 产品工程部 解析课 李燕 主要内容 背景 结构比较 HVS实现 结论 电气特性 说明：SAMSUNG for DELL V-LINE不良率较低，其进行HVS测试，基于此DELL要求各供应商均要导入。 1、SEC与CPT for DELL VLRR状况比较。 2、实验分析HVS拦截状况。 3、通过实验分析简单比较SEC与CPT M组之部分电气特性。 背景 结构比较 HVS实现 结论 电气特性 1、 SEC与CPT for DELL VLRR状况： FDT没有区分 小结： 1、M9、M10的SEC V-LINE不良率是117DPPM，FDT V-LINE不良率是183DPPM ，SEC在进行HVS测试，V-LINE不良较低。 2、针对暗线部分，FDT无细分，还需PM协助了解SEC暗线与亮线的区别。 背景 结构比较 HVS实现 结论 电气特性 2、实验分析HVS拦截状况：（17〞为例，客退品解析状况见图，HVS测试无发现见表） 1PC SS-SHORT 1PC阶线 ESD击伤*2 OLB IC异物*1 15% 1PC黑色暗线 20 PC （不良不再现） 17 不良成因分析 再现率 再现结果 数量 机种 小结： 1、HVS测试可将较weak IC提前打下，根据客退品解析以及无发现，以M9、M10为例，可多拦截14DPPM（VLRR V-LINE不良率*（NDF+IC原材占有比例）*再现率）。 2、依目前CPT的HVS条件，拦截成效很weak，还需HQ RD进一步优化测试条件。 3、因SEC也在进行HVS测试，下面通过实验简单分析SEC与CPT的部分电气特性差异以及HVS的测试方式。 背景 结构比较 HVS实现 结论 电气特性 总结： 1、根据简单的电气特性测量（五大电压及控制时序），SEC与CPT基本相同； 2、SEC与CPT GAMMA电压分组不同，SEC为12组、CPT为14组； 3、 SEC与CPT 最大区别：SEC的VCOM值有多组，且电压值不一样，靠外接治具调整；CPT的VCOM值仅一个，靠PWB的VR进行调整。 12组GAMMA电压 14组GAMMA电压 OP电路（1） 无OP电路（在IC内部） HVS测试口 HVS测试口 VCOM：有多个VCOM电压，PWB上测试孔6个，外接治具调整 VCOM：仅有一个VCOM电压，PWB上一个测试孔，VCOM调整在PWB上 有五大电压电路 有五大电压电路 SEC CPT SEC CPT 不同 相同 HVS接口 背景 结构比较 HVS实现 结论 电气特性 将CPT HVS测试如图所示： 标示说明： 1、30PIN的讯号线，正常点灯使用； 2、HVS 转换板，将对应的VDDA由12V↗13.5V，VDDG由24V ↗32.5V； 3、HVS 讯号转接线，在进行HVS测试时，进行讯号传输； 4、HVS电压转接线，在进行HVS测试时，进行五大电压传输； 5、PAT治具，为了可循环使用，用该治具代替connector。 1 2 3 5 4 CPT HVS测试说明： 1、目前机种IC内部的GAMMA电压转换部分无稳压电路，当输入的GAMMA电压升高时，经过IC内部电阻分压后产生的64阶电压也会升高，后面通过电气特性测试和IC的OUT PUT波形进一步说明。 2、需要量测SEC的GAMMA电压和IC的OUT PUT波形与CPT进行比较。 背景 结构比较 HVS实现 结论 电气特性 通过量测SEC的如下图5所示处对应PIN脚的电压，也是VDDD、VDDA、VDDG、VEEG以及GND，与CPT相同，仅是PIN定义不一样，顾将CPT的HVS测试治具通过引线连接到SEC的HVS接口上，如图所示： 标示说明： 1、30PIN的讯号线，正常点灯使用； 2、HVS 转换板，将对应的VDDA由12V↗13.5V，VDDG由24V ↗32.5V； 3、HVS 讯号转接线，在进行HVS测试时，进行讯号传输； 4、HVS电压转接线，在进行HVS测试时，进行五大电压传输； 5、connector：可直接与HVS转接线相连。 1 2 3 4 5 借用CPT的HVS 实现SEC HVS测试： 1、连接完成点灯OK，切换HVS后，也可正常点灯，量测图示5处对应电压，VDDA以及VDDG均有升高，需要通过电气特性测试和IC的OUT PUT波形进一步说明。 2、CPT的HVS测试方法可在SEC模组上用，且不影响点画面，初步推测SEC的HVS测试方式和CPT相同。 背景 结构比较 HVS实现 结论 电气特性 ——