单片机讲义18讲.pptVIP

9.3 数据存储器的扩展 MCS-51单片机内只有128字节的数据RAM，当应用中需要更多的RAM时，只能在片外扩展。可扩展的最大容量为64KB 图9-6是单片机对片外RAM进行读操作的时序。 当执行指令 MOVX A，@Ri 或 MOVXA，@DPTR 时进入外部数据RAM是的读周期。 1. 外部数据RAM的读周期时序 在ALE的上升沿，把外部程序存储器的指令读入后就开始了对片外RAM的读过程。 ALE高电平期间，在P0处于高阻三态后，根据指令 间址提供的地址，P2口输出外部RAM的高8位地址A15~A8 ，P0端口输出低8位地址A7~A0 ；在ALE下跳沿，P0输出的低8位地址被锁存在锁存器中，随后P0又进入高阻三态，RD信号有效后，被选中的RAM的数据出现在数据总线上，P0 处于输入状态，CPU从P0 读入外部RAM的数据 。 2. 外部数据RAM的写周期 当执行MOVX @Ri，A 或 MOVX @DPTR，A指令时进入外部数据存储器的写周期，其写周期时序如下： 写外部RAM的操作时序与读外部RAM的时序差别在于：其一，WR有效代替RD有效，以表明这是写数据RAM的操作；其二，在P0输出低8位地址A0~A7后，P0立即处于输出状态，提供要写入外部RAM的数据供外部RAM取走。 由以上时序分析可见，访问外部数据RAM的操作与从外部程序存储器取指令的过程基本相同，只是前者有读有写，而后者只有读而无写；前者用RD或WR选通，而后者用PSEN选通；前者一个机器周期中ALE两次有效，后者则只有一次有效。因此，不难得出51单片机和外部RAM的连接方法。 8XX51单片机扩展8KB静态RAM 6264的电路见下图。 由图9-8可见，ALE把P0端口输出的低8位地址A0~A7锁存在74LS373，P2口的P2.0~P2.4直接输出高5位地址A8~A12，由于单片机的RD和WR分别与6264的输出允许OE和写信号WE相连，执行读操作指令时，RD使OE有效，6262 RAM中指定地址单元的数据经D0~D7由P0 口读入；执行写指令时，WR使WE有效，由P0口提供的要写入RAM的数据经Do~D7写入6264的指定地址单元中。 单片机8XX51读写外部数据RAM的操作使用MOVX指令，用 Ri 间址或用 DPTR 间址。 要把A累加器中内容写入外部数据RAM1050H地址单元，其程序可为： MOV P2，#10H MOV R1，#50H MOVX @R1，A 或 MOV DPTR，#1050H MOVX @DPTR，A 例如，将外部数据RAM1050H地址单元中的内容读入A累加器，可有如下两种程序。 第一种 MOV P2，#10H ；端口提供高8位地址 MOV R1，#50H ；Ri提供低8位地址 MOVX A，@R1 第二种 MOV DPTR，#1050H MOVX A，@DPTR ；DPTR提供16位地址 MCS-51系列单片机中的数据存储器和程序存储器在逻辑上是严格分开的，在实际设计和开发单片机系统时，程序若放在RAM，可方便调试和修改，为此需将程序存储器和数据存储器混合使用。 在硬件上将RD信号和PSEN相“与”后连到RAM的读选通端OE即可以实现，见图9-9。 程序存储器和数据存储器混合使用 当执行MOVX指令时产生RD读选通信号使OE有效，当执行该RAM中的程序时，由PSEN信号也使OE有效，选通RAM，读出其中的机器码。WR信号依然连接RAM的WE端。 图9-9 9.5 I/O接口的扩展 MCS-51单片机共有4个8位并行I/O口, 在外部扩展时, P0和P2口做为总线使用, 因而提供给用户的 I /O口就只有P1或P3口的部分口线所接的外设较多时, 就必须扩展I/O接口。 MCS-51单片机扩展的I/O口和外部数据存储器统一编址、 采用相同的控制信号、 相同的寻址方式和相同的指令。 扩展I/O所用的芯片有通用可编程芯片 ( 如8251, 8155, 8255等)和TTL, CMOS锁存器,缓冲器(如273, 377, 244, 245等),用户可根据系统对