第九章-半导体材料.pptVIP

* 特种陶瓷材料及工艺 授课教师：蒋百灵 教授 材料科学与工程学院 物质按其导电的难易程度可以分为导体、半导体和绝缘体。半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间。 半导体材料的种类繁多，按其成分，可分为由同一种元素组成的元素半导体和由两种或两种以上元素组成的化合物半导体；按其结构，可分为单晶态、多晶态和非晶态；按物质类别，可分为无机材料和有机材料；按其形态，可分为块体材料和薄膜材料；按其性能，多数材料在通常状态下就呈半导体性质，但有些材料需在特定条件下才表现出半导体性能。半导体主要分为无机半导体和有机半导体两类。 9.1半导体材料分类 9.1半导体材料分类 9.1半导体材料分类 9.1.1 元素半导体 在元素周期表中介于金属和非金属之间具有半导体性质的元素有12种，但其中S、P、As、Sb和I不稳定，易挥发；灰Sn在室温下转变为白Sn，已是金属；B、C的熔点太高，不易制成单晶；Te十分稀缺，因此具备实用价值的元素半导体材料只有Si、Ge和Se。 9.1.2 固溶体半导体 元素半导体或化合物半导体相互溶解而成的半导体材料称为固溶体半导体。其重要特性是禁带宽度随固溶度的成分变化，因此可利用固溶体得到有多种性质的半导体。 9.1半导体材料分类 9.1.3 非晶态半导体 非晶态物质的特征是长程无序，短程有序，也叫无定形物质。在非晶态材料中有一些在常态下是绝缘体或高阻体，但在达到一定值得外界条件（如电场、光、温度等）时，就呈现出半导体电性能，称之为非晶态半导体。 9.1.4 有机半导体 有机化合物是指有碳键的化合物，其晶格是分子晶格，分子间为范德华力相互作用，分子间价电子的共用化几乎不可能，因此呈现优良的绝缘性能。 9.2 半导体材料的结构与键合 9.2.1 金刚石结构 金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶格。元素半导体Si、Ge、α-Sn都具有金刚石结构。如图所示，相关连的原子共有18个，其中8个在立方体的8个顶角，6个在立方体6个面心，还有4个分别在4条对角线距顶角原子相距1/4对角线长度。 9.2 半导体材料的结构与键合 9.2.2 闪锌矿结构 亦称立方ZnS结构，如图所示，它是由两种不同元素的原子分别组成面心晶格套构而成，套构的相对位置与金刚石结构相对位置相同。也具有四面体结构，每个原子有4个异类原子文最邻近、后者位于四面体的顶点，具有立方对称性。 9.2 半导体材料的结构与键合 9.2.3 纤锌矿结构 亦称六方硫化锌，如图。它是由两种不同元素的原子分别组成hcp晶格适当位错套构而成的，并且也有四面体结构，具有六方对称性。 9.2 半导体材料的结构与键合 9.2.4 氯化钠结构 是由两种不同元素原子分别组成的两套面心立方格子沿1/2[100]方向套构而成的，如图。这两种元素的电负性又显著的差别，其中金属原子失去电子成为正离子，非金属原子得到电子成为负离子，它们之间形成离子键。具有氯化钠结构的半导体材料主要有CdO、PbS、PbSe、SnTe等。 目前常用的半导体材料大部分是共价键晶体，晶体中参与导电的粒子被称为载流子。半导体中对电导有贡献的载流子不仅有导带中的电子，还有价带中的空穴，电子和空穴具有不同符号的电荷。固体物理学中常用能带来表示电子的各种行为。通常把能带、禁带宽度以及电子填充能带的情况统称为能带结构。导带中的电子和价带中的空穴，在相同的电场作用下，产生漂移运动，但两者所获平均漂移速度不同，即电子迁移率大于空穴迁移率，而总导电作用为两者之和。单位电场下载流子漂移的速度称为载流子的迁移率。它是反映半导体中载流子的导电能力的重要参数，而且直接决定着载流子运动的快慢，它对半导体器件的工作速度有直接的影响。 若两种晶格结构相同，晶格常数相近，但带隙宽度不同的半导体长在一起形成结，则称为异质结。若结两侧材料导带类型相同称为同型异质结；若不相同称为异型异质结。 9.2半导体材料的物理基础 半导体的光学性质：光照射在半导体上，光子能量会被半导体吸收，其中最主要的过程是本征吸收其发生条件式光子能量大于禁带宽度；光导电效应，在光的照射下，使半导体材料的电导率发生变化的现象称为光导电效应，按其发生机制可以分为本征光电导和杂质光电导。为了使半导体材料实现激光。 需满足以下三个基本条件：（1）形成粒子数反转状态，使受激发射占优势，常用p-n结注入法来实现。（2）存在光学谐振腔，产生激光震荡，因为受激辐射的初始光子来源于材料中的自发辐射，而自发辐射产生的一些光子之间频率、相位、出射方向都互不相同，将它们放大，则得不到激光。（3）满足阈值电流密度，使倍增持续，因为激光发生过程中除了有光子数倍增因素外，还有谐振腔的透射和吸收、材料不均匀性引起的散射等因素使光子数