Lecture24 第六章 理想MOS电容器5.pptVIP

Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province * 理想MOS电容器 Prof. Gaobin Xu Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province of Hefei University of Technology Hefei, Anhui 230009, China Tel.: E-mail: gbxu@hfut.edu.cn Chap.6 MOSFET Lecture 24：§6.2 Outline 1. 积累区（VG0） 2. 平带情况（VG=0） 3. 耗尽区（VG0） 4. 反型区（VG0） 对于一个理想的MOS系统，当外加偏压VG变化时，金属极板上的电荷QM和半导体表面空间电荷QS都要相应发生变化。说明，MOS系统有一定的电容效应，所以把它叫做MOS电容器；但一般说来：QM并不正比于外加偏压VG，需要讨论微分电容。 引言： 令C为MOS系统单位面积的微分电容，则： 微分电容C的数值随外加偏压VG变化，这个变化规