刘诺-半导体物理-第七章.ppt

UESTC Nuo Liu 编写：刘诺 副教授 制作：刘诺 副教授 电子科技大学 微电子与固体电子学院 第七章 金属和半导体的接触 KEY 1、阻挡层与反阻挡层的形成 2、肖特基势垒的定量特性 3、欧姆接触的特性 OUTLINE §7.1 金属-半导体接触和能带图 §7.2 金-半接触整流理论 §7.1 金属-半导体接触和能带图 KEY 功函数 电子亲和势 接触电势势垒 阻挡层与反阻挡层 1、功函数Wm 、Ws与电子亲和势 Work function of Electron affinity of some element some semiconductor 2、接触电势差 接触前 接触后 接触势垒：Wm-Ws=-q（Vms+Vs） 导带底电子向金属运动时必须越过的势垒的高度： qVD=Wm-Ws （1） 金属一边的电子运动到半导体一边也需要越过的势垒高度： qVD=Wm-Ws 3、阻挡层与反阻挡层 （1）金属-n型半导体接触 半导体一边的势垒 （b） WmWs 电子反阻挡层 （2）金属-p型半导体接触 接触后： （2）WmWs 空穴反阻挡层: 接触后： 3、表面态对接触势垒的影响 表面态：局域在表面附近的新电 子态。 表面能级：与表面态相应的能 级称为表面能级。 A、接触前，半导体体内与表面电子态未交换电子 B、接触前，半导体体内与表面电子态交换电子后 能带弯曲量 qVD=EF0-EFs0 与金属的性能无关 半导体的功函数则变为： C、金属与半导体接触后 实际中，EFs0常位于Ev以上1/3Eg处，所以 OUTLINE §7.1 金属-半导体接触和能带图 §7.2 金-半接触整流理论 §7.2 金-半接触整流理论 KEY 阻挡层的整流特性和整流理论 欧姆接触 1、阻挡层的整流特性 ——外加电压对阻挡层的作用 qVD1=q[VD-V] 2、整流理论 （1）扩散理论 xdln时 （2）热电子发射理论 xdln时 （1）扩散理论 xdln时，电子通过势垒区将发生多次碰撞。 势垒高度qVDk0T时，势垒区内的载流子浓度～0 耗尽区 （加上外加电压在金属上） 这种势垒宽度随外加电压的变化而变化的势垒就是Schottky势垒。 讨论： （2）热电子发射理论 xdln时，电子通过势垒区的碰撞可以忽略。当电子动能势垒顶部时，电子可以自由越过势垒进入另一边 热电子发射 假设qVDk0T 思 路 ？ (a) Js m (b) Jm s (c)J= Js m +Jm s (a) Js m时： （b） Jm s （c）总电流密度J 扩散理论与热电子理论的差异 习 题 课 Si Schottky结的势垒高度qΦns=0。59eV，有效理查德逊常数A*＝１１４Ａ／Ｋ２　ｃｍ２ ，横截面积为１０ - 4　ｃｍ２ 。求室温时，计算 （１）理想反向饱和电流； （２）Ｖ＝０．３　Ｖ时的金半二极管电流。 答案: (1) 1.31× １０ --7 A; (2) I=14.1 A. 3、镜像力和隧道效应的影响 反向特性不饱和 势垒受到镜象力的影响： （1）镜象力的影响 感应电荷对电子产生库仑吸引力 ——镜象力 对于金-半接触势垒中的电子，附加势能为 取势能零点在EFm处，考虑附加势能后，电子的有效势能为： 当电子所受到的电场力=镜像力时，有 Vmax=V（xm） （2）隧道电流的影响: （a）隧道效应 决定隧道穿透几率的两个因素： （1）势垒高度 （2）隧道厚度 隧道效应导致反向特性不饱和 （2）隧道厚度 当半导体一边的势垒厚度 xxc 时，势垒对电子完全透明 隧道穿透 （b）欧姆接触：I∽V （b1）金属-n型半导体欧姆接触