003 双极晶体管（1a1）.pptVIP

第三章 双极晶体管（1） 半导体三极管的型号 反向直流参数和基极电阻 特性曲线和E-M模型 两者之间数值上的关系可以由经验公式得到 由经验公式 n为常数，当集电结低掺杂N型：硅管4锗管3 当集电结低掺杂P型：硅管2锗管6 下页讨论其安全工作区 (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 其安全工作区由器件的 极限参数 决定 BJT的安全工作区 (3) 击穿电压 5.3 基极电阻 下面以梳状管、圆形管为例，具体的分析基极电阻与哪些因素有关，并介绍其计算方法。 所以在设计和制造中，应尽可能的减小其基极电阻。 BJT的基极电阻是表征其性能好坏的一个重要参数。其主要由基区体电阻和接触电阻组成，其大小主要决定于管子的结构尺寸及基区电阻率。 基极电阻对BJT的功率特性、频率特性、噪声系数等都有着重要的影响 讨论均匀基区晶体管增益的方法如下： 发射效率 基区输运系数 直流电流增益 先利用前面得到的电流分量的表达式先分析发射效率和基区输运系数和器件结构的关系，再讨论电流增益。如下页所示 ① ② 近似 发射效率 基区输运系数 直流电流增益 讨论均匀缓变基区晶体管增益的方法如下： 发射效率 基区输运