半导体制程简介(DC).ppt

TM This document is strictly confidential and proprietary of SMIC. It must not be copied or used for anypurpose other than for reference only, and SMIC shall not be liable or responsible for any reliance. p. * DC_Lin (Fab1/E1) TM Introduction of Semiconductor Manufacture (半導體製造之簡介) DC_Lin (Fab1/E1) 07/09/2003 Design/Device (電路設計) Semiconductor Manufacturing Flows Engineering Module (工程開發) Manufacturing (MFG) (產品生產) WAT/CP Test (電性 、良率測試) Product Qualification (產品封裝測試) Customer ( 顧客) 設計修正 (半導體製造流程) Silicon Technology (矽技術) 6 吋 (15.24cm) 8 吋 (20.32cm) 12 吋 (30.48cm) 1.78 倍 2.25 倍 (A) Production Capability (生產能力) (B) Design Capability (設計能力) 元件縮小 0.18 um (微米) 0.13 um (微米) Engineering Modules (工程開發): ? PHOTO (黃光) ? 製程 設備 ? ETCH (蝕刻) ? 製程 設備 ? Thin-Film (薄膜) ? 製程 設備 ? CMP (化學機械硏磨) ? 製程 設備 ? Diffusion (擴散) ? 製程 設備 ? WET (酸槽) ? 製程 設備 ? Implant (離子植入) ? 製程 設備 ? Integration (製程整合) ? PHOTO (黃光) Module ? Process Procedures (製程步驟): (a) PR_coating (上光 阻) (b) Photo_mask exposure (上光罩及曝光) (c) CD measurement (曝光後量測) (d) ADI check (曝光後檢查) 光 阻 Mask (光罩) 特殊光線 曝光區 光 阻 光 阻 OK or not ? ? ETCH (蝕刻) Module ? Process Procedures (製程步驟): (a) Dry Etching (氣相蝕刻) (b) WET_PR_stripping (光阻去除, 酸槽) (c) CD measurement (蝕刻後量測) (d) AEI check (蝕刻後檢查) 光 阻 光 阻 Etching gas (蝕刻氣體) 光 阻 光 阻 光阻去除 (WET) OK or not ?? ? Thin-Film (薄膜) Module ? Process Procedures (製程步驟): (a) Thin film deposition (薄膜沉積, 單片) (b) Thickness measurement (沉積厚度量測) (c) Film types (薄膜種類): (i) 非導體: oxide (氧化物), nitride (氮化硅) (ii) 導體: metal (金屬, W, Ti, TiN, Al) Film ? CMP (化學機械硏磨) Module ? Process Procedures (製程步驟): (a) Chemical Mechanical Polishing (單片硏磨) (b) 主要目的: 表面平坦化 (c) Thickness measurement (硏磨後厚度量測) Film CMP平坦化 厚度 ?? ? Diffusion (擴散) Module ? Process Procedures (製程步驟): (a) Film deposition (爐管薄膜沉積, 150片) (b) Thickness measurement (沉積厚度量測) (c) Film types (薄膜種類): (i) 非導體: oxide (氧化物), nitride (氮化硅) (ii) 導體: Doped-poly WSi Film ? WET (酸槽) Module ? Process Procedures (製程步驟): (a) Pre-cl