实验七 混频器仿真设计.pptxVIP

实验七 混频器的仿真设计 理解微波混频器的主要性能指标 掌握微波混频器的分析方法及基本应用 掌握单端微波二极管和单平衡混频器的结构特点、电路形式和工作原理； 掌握用ADS进行混频器仿真的方法与步骤 一、实验目的 降频器 RF滤波器 前置放大器 IF带通滤波器 RF滤波器 LNA IF滤波器 IF放大器 接收天线 功率分配器 发射天线 功率放大器 升频器 IF放大器 Base Processor Unit (BPU) Gain Controller PAD PAD PLL VCO 混频器是微波集成电路接收系统中必不可少的部件。在微波通信、雷达、遥控、遥感、侦察与电子对抗系统以及微波测量系统中，将微波信号用混频器降到中低频来进行处理。 二、微波混频器典型电路结构及技术指标 变频损耗 噪声系数 端口隔离度 驻波比 动态范围 三阶交调系数 镜频抑制度 交调失真 混频器电路的主要技术指标 混频器电路的基本要求 信号功率和本振功率应同时加到混频二极管上； 二极管要有直流通路和中频输出通路； 二极管和信号回路应尽可能匹配，以便获得较大的信号功率； 本振与混频器之间的耦合量应能调节，以便选择合适的工作状态； 中频输出端应能滤掉高频分量（信号和本振） 下变频接收机 和频 差频 混频器的基本概念及指标 载波频率 下边带 上边带 上变频发射机 大量谐波及其高阶产物 镜频 多数微波系统中的混频器是单边带工作；镜频噪声使混频器的噪声系数恶化，因此需抑制镜频。 镜频抑制度：表征混频器对镜频信号抑制程度的指标。 定义：在信号频率和镜频上分别输入同样的功率信号时所产生的中频信号幅度之比，通常用分贝表示。 变频损耗指标LC：混频过程伴随着信号能量的重新分配，导致中频信号幅度低于射频信号幅度 定义：为输入射频信号的资用功率PRF 与输出中频信号资用功率PIF 之比: 噪声系数NF：定义为输入信号信噪比Si/Ni与输出信号信噪比So/No的比值： 3阶交调系数Mi：输入信号包括两个以上的频率分量时，混频器输出信号中将产生交调分量，出现交调干扰（IMD）。影响最大的是 3 阶交调分量（3阶交调的阶次最低，幅度最大）。 混频器隔离度：是指各频率端口之间的隔离度，该指标包括三项，信号与本振之间的隔离度，信号与中频之间的隔离度，本振与中频之间的隔离度。隔离度定义是本振或信号泄漏到其他端口的功率与原有功率之比，单位为dB。 双频交调分量 m + n = k为交调失真的阶数 三、混频器的基本电路结构 1、 混频管二极管 通常非线性变频管采用二极管（非线性电阻二极管：肖特基势垒二极管）,本振输入功率约2~10mW，变频损耗约-4dB左右，噪声系数约4-6dB. 非线性电容二极管：变容管、阶跃恢复二极管等,利用结电容对所加电压的非线性变化来实现频率变换。一般为15-25mW，变频损耗约-6dB左右 晶体管（微波场效应管，MESFET）。 采用肖特基势垒二极管做变频元件：变频损耗相对较高，但是它结构简单，便于集成化，工作频带宽，可能达到几个甚至几十个倍频程。它的噪声较低而且工作稳定，动态范围大，不容易出现饱和。 肖特基势垒二极管结构如图所示，在N+半导体（Si或GaAs）衬底基片上生长外延层（大约0.5μm），外延层上做一层SiO2保护层，腐蚀出小孔（直径约为1μm-5μm），再蒸发金属，小孔中的金属与外延半导体形成肖特基势垒结。在势垒金属上再镀出金属电极就构成了二极管芯。窗孔直径愈小，结电容愈小，则工作频率愈高。 肖特基二极管管芯结构示意图 肖特基二极管是是以金属A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散，于是就形成了肖特基势垒。 肖特基二极管具有功耗低、电流大、正向导通压降低、反向恢复时间极短（可以小到几纳秒）的超高速半导体器件。对外主要呈现非线性电阻特性，是构成微波混频器、检波器和微波开关等的核心元件。 肖特基势垒二极管 混频二极管封装结构及等效电路 (a) “炮弹”式封装；(b) 微带封装；(c) SOT贴片封装 面结合型二极管结构和等效电路 肖特基势垒二极管等效电路 Rj为二极管的非线性结电阻，是阻性二极管的核心等效元件。Rj随外加偏压而改变，正向时约为几欧姆，反向时可达MΩ量级。　　 Cj为二极管的非线性结电容。 Cj随二极管的工作状态而变，电容量在百分之几皮法到一皮法之间。 肖特基二极管的伏安特性可表示为： e是电子电荷，k是波尔兹曼常数，T是绝对温度，一般情况n≈1至1.2。室温下α=30至40， Is是反向饱和电流 混频二极管上加大功率本振、小功率信号