化学共物质沉淀法制备钨铜合金.pdfVIP

第38卷 第2期 稀有金属材料与工程 V01．38，No．2 2009 2009年 2月 RAREMETALMATERIAL．SANDENGINEERING February 化学共沉淀法制备钨铜合金 姚惠龙，林涛，罗 骥，刘祥庆，郭志猛 (北京科技大学，北京100083) 摘 要：首先采用化学共沉淀法制备钨铜复合氧化物粉末，再用氢还原得到纳米级钨铜复合粉末，经成形和烧结得到 超细弥散分布钨铜合金。研究结果表明，采用化学共沉淀法结合氢还原工艺制备的W-20％Cu纳米复合粉，W颗粒粒度 为30～50nm，形状呈多边形，Cu相均匀分布在W相之间将W颗粒粘结。所制得的钨铜复合粉表现出高的烧结活性， W／m·K，导电性、抗弯强度以及硬度等性能也比传统产品有 经1250℃烧结其相对密度达到99．7％，热导率达到223．1 大幅度提高。 关键词：钨铜合金；沉淀；纳米粉末；热导率 文献标识码：A 中图法分类号：TGl46．411；TG383 文章编号：1002-185X(2009)02．0348．05 W-Cu合金是一种由体心立方结构的钨和面心立结致密，尤其在钨的体积分数超过65％时最高相对密 方结构的铜所组成的既不互相固溶又不形成金属间化 度一般仅为92％--一95％12卅。由此导致复合材料的导 合物的两相混合组织，通常被称为伪合金。因此，它 电、导热性能低，漏气率高，难以满足现代微电子工 既具有钨的高强度、高硬度、低膨胀系数等特性，同 业的要求。为了提高高钨含量的W-Cu复合材料的烧 时又具有铜的高塑性、良好的导电导热等特性。这种 结密度，很多研究人员采用添加烧结助剂的方法进行 特有的综合性能使W-Cu合金在电接触材料和电极材活化烧结【5】，但是活化剂的加入对导热性有很大的损 料中得到广泛的应用。 害，不适合于热沉材料【6】。本研究采用化学共沉淀法 在制备W-Cu合金时，通常所采用的钨粉平均粒结合氢还原制备W-Cu纳米复合粉，再经成形、烧结 度为2岬左右，铜粉粒度为几十微米，生产工艺为： 获得高致密高性能的W-Cu合金。 混粉、成形、烧结、后续加工；或采用钨粉、铜粉分 1 实 验 别成形，将铜压坯与钨压坯叠放在高温1200～1300℃ 下烧结的熔浸工艺等。在这种传统技术中，由于W-Cu 实验所用原材料：钨酸铵，五水硝酸铜，浓HN03。 液相润湿角不为零且W-Cu又互不溶解，因此无论是将浓HN03在搅拌条件下加到硝酸铜溶液中，再将混 液相烧结或是固相烧结均难以使烧结产品的相对密度 大于98％。复压复烧或者后续热加工虽可提高产品密 化学共沉淀反应。反应lh后将混合溶液取出，再将 度，但成本增加，效率降低。原始钨颗粒在烧结过程 沉淀物置于马弗炉中于250℃焙烧约2h，得到复合氧 中要长大5～10倍，致使烧结中钨晶粒进一步粗化。 化物粉末。将复合粉末在研钵中研碎，经强排水透气 这种合金结构不能满足近年来作为高技术用途的 W-Cu合金的要求。 再将W-Cu复合粉用钢模成形(压力为100～250 MPa)， 随着微电子信息技术的发展，在大规模集成电路 得到生坯的相对密度为40％～47％。最后在氢气炉中 和大功率微波器件中，W-Cu复合材料用作基片、连于1150-1250℃烧结2h，升温速度为10℃／rain，制 接件和散热元件等电子封装材料和热沉材料具有更广