005 结型场效应晶体管 09版.pptVIP

沟道电流 其中 所以沟道电流 而栅结是单边突变结： 所以沟道电流 又因为 所以对上式在整个沟道进行积分 可得： 而栅结是单边突变结： 所以可以得到 非饱和区I-V方程： 再看看饱和区直流电流、电压方程： 饱和区沟道被夹断，前面非饱和区方程已经不适用了，那么如何求饱和区的电流电压方程呢？ 饱和区I-V方程：下页 饱和区I-V方程：下页 最大饱和漏极电流 本征夹断电压－－漏源电压为零时 返回跨导 2） JFET的直流参数 a 夹断电压VP： b 最大饱和漏极电流 c 最小沟道电阻Rmin: d 栅极截止电流IGSS和栅源输入电阻RGS VGS=0、VDS足够小时的沟道电阻 导电沟道消失所需的栅源电压 栅结反向漏电流 饱和区中VDS=VGS时漏源电流 e 漏源击穿电压、输出功率 演示耗尽区随栅源电压变大而变宽直到填充整个沟道区的动画 沟道夹断前 P P 如何求解JFET的夹断电压呢？ a 夹断电压： 导电沟道消失所需的栅源电压 栅结是单边突变结，其空间电荷区的宽度为 所以沟道刚好夹断时，栅结空间电荷区的宽度为 由此可以得到JFET的夹断电压为 b 最大饱和漏极电流 饱和区中VD=VGS时的漏源电流 饱和区I-V方程： c 最小沟道电阻Rmin: VGS=0、VDS足够小时的沟道电阻 P P