第3章集成电路设计基础.pptVIP

集成电路设计技术与工具 ;内容提要;3.1 引言;3.2 集成电路基本加工工艺;3.2.1 外延生长;化学汽相沉积生长 化学汽相沉积也称汽相外延（VPE：Vapor Phase Epitaxy） CVD是通过汽体化合物之间的化学反应而形成的一种生长外延层的工艺。 通过晶圆表面吸附反应物，在高温下发生反应，生成外延层 吸附沉积的硅原子需要较高的迁移率能够在表面自由移动来形成完整的晶格。因此，CVD需要较高的温度。 ;金属有机物CVD（MOCVD：Metal Organic CVD） 金属有机物CVD也称为金属有机物VPE（MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy） MOCVD是由CVD技术发展起来的，是属于CVD技术的一种 由于许多III族元素有机化合物和V族元素氢化物在较低温度下即可成为气态，因此在金属有机物化学沉积过程中反应物不需要高温，只需要在衬底附近存在高温区使得几种反应物能够在衬底附近发生化学沉积反应即可。 MOCVD是一种冷壁工艺，只要将衬底加热到一定温度即可，炉体其他部分不需要高温。 ;分子束外延生长（MBE：Molecular Beam Epitaxy） 分子束外延是在超高真空下（~10-8 Pa）加热一种或多种原子或分子，这些原子分子束与衬底晶体表面反应从而形成半导体薄膜的技术 MBE有生长半导体器件级质量膜的