协会标准《多晶硅生产用氯硅烷杂质含量分析电感耦合等离子.docVIP

协会标准《多晶硅生产用氯硅烷杂质含量分析 电感耦合等离子体质谱法》 （预审稿）编制说明 工作简况 立项目的及意义 半导体材料（尤其是集成电路工业）是电子信息产业的基础和核心，是国民经济现代化与信息化建设的先导与支柱产业。半导体硅单晶材料则是半导体工业的最重要的主体功能材料，多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性被称为“微电子大厦的基石”。 多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。年申请了专利1965年左右实现了工业化。经过几十年的应用和展，西门子法不断完善，先后出现了第一代、第二代和第三代，第三代多晶硅生产工艺即改良西门子法，它在第二代的基础上增加了还原尾气干法回收系统、SiCl4回收氢化工艺，实现了完全闭环生产，是西门子法生产高纯多晶硅技术的最新技术。硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用。 任务来源 根据国家工信部《关于下达2017年协会标准制修订计划的通知》（中色协科字[2017]8号）文件精神，由新特能源股份有限公司负责修订《多晶硅生产用氯硅烷杂质含量分析 电感耦合等离子体质谱法》，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会负责归口，计划编号，计划完成时间为201年。 编制单位简况 [简称：]成立于2008年，主要生产、研发、销售高纯多晶硅、多晶硅/单晶硅硅片、高纯四氯化硅、气相二氧化硅等产品，并提供硅产业技术服务，主导产品为多晶硅，目前，多晶硅生产规模达到15000吨/年，居世界前八位，中国前三位。 新特能源坚持机制创新、体制创新、科技创新、管理创新、文化创新的创新求变理念，2012年经新特能源股份有限公司高层领导研究决定在新特能源质检中心的基础上组建了新疆新特新能材料检测中心有限公司，本公司于2013年和2014年两年间相继取得CMA和CNAS资质，本公司实验室有效建筑面积6540m2，其中十万级恒温空间占地6340 m2，千级高洁净间占地756 m2；实验室仪器配置涵盖了气相、液相色谱，光谱、质谱等常规及高尖端分析检测仪器,超洁净的环境、高尖端的设备为无机痕量级分析奠定了基础，这些设备为后续的多晶硅实验检测提供了良好的硬件设施及条件。 主要工作过程 201年月，接到工作计划后，在全国半导体设备和材料标准化技术委员会的组织下，成立了标准编制组，由任组长。标准编制组充分调研了 近年半导体行业在国内不断的增加，半导体行业中国内以分析多晶硅、三氯氢硅、四氯硅居多。对半导体材料中原材料、试剂、中间体和成品的检测要求越来越高。传统的ICP-OES已经不能满足半导体用户对产品纯度要求的检测因此建立ICP-MS 对半导体样品检测方法势在必行。多晶硅及三氯氢硅产品中对硼，磷的测定有更高的要求。DB511100/T21-2010进行对比： 条款 DB511100/T21-2010 ICP质谱法 差别 1 原理 本方法采用电感耦合等离子体发射光谱法，将元素能态变化时发射不同波长的光子强度转变为光电子强度，并通过光电子强度计算各元素浓度 本方法采用电感耦合等离子体质谱法，样品在通道中经过气化、解离、原子化、电离等过程转变为带正电荷的正离子，经离子采集系统进入质谱仪，质谱仪根据质荷比进行分离，根据元素质谱峰强度测定样品中相应元素的含量。 ICP光谱仪所覆盖的波长范围约为165-800nm，质谱仪扫描元素质量数范围从6到260 2.测量范围 无 测定氯硅烷的杂质含量范围为1ppbw—1000ppbw。 地标无明确的检测范围，质谱仪的检测精度高于光谱仪。 3 制样步骤 1.取适量样品加入聚四氟乙烯坩埚中，在23±2℃风橱中